|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
N. S. Kozhevnikova, L. N. Maskaeva, A. N. Enyashin, A. P. Tyutyunnik, O. A. Lipina, I. O. Selyanin, V. F. Markov, “Surface topology, electrophysical properties and formation mechanism of tin(ii) sulfide thin films”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:6 (2023), 699–704   |
|
2021 |
| 2. |
Л. Н. Маскаева, И. В. Ваганова, В. Ф. Марков, А. Е. Бездетнова, А. Д. Селянина, В. И. Воронин, И. О. Селянин, “Влияние структурно-морфологических характеристик на сенсорные свойства пленок Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1186–1194 |
2
|
| 3. |
Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. Ф. Марков, В. И. Воронин, А. В. Поздин, И. О. Селянин, А. И. Михайлова, “Химически осажденные пленки сульфида свинца, легированные кобальтом”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1049–1058 |
| 4. |
Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. И. Воронин, А. В. Поздин, И. О. Селянин, И. А. Анохина, В. Ф. Марков, “Структурные и электрофизические свойства пленок PbS, легированных Cr$^{3+}$ в процессе химического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 937–946 ; L. N. Maskaeva, E. V. Mostovschikova, V. I. Voronin, A. V. Pozdin, I. O. Selyanin, I. A. Anokhina, V. F. Markov, “Structural and electrical properties of PbS films doped with Cr$^{3+}$ ions during chemical deposition”, Semiconductors, 55:11 (2021), 855–864 |
2
|
| 5. |
L. N. Maskaeva, V. F. Markov, E. A. Gracheva, V. I. Voronin, N. S. Kozhevnikova, R. W. Martin, M. V. Yakushev, M. V. Kuznetsov, “Fabrication of Cu$_2$ZnSnSe$_4$ thin films by selenising Cu$_{1.8}$Se, SnSe, and ZnSe precursor layers: effects of the sequence of layers”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 819 |
|
2020 |
| 6. |
Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, А. В. Поздин, В. И. Воронин, М. В. Кузнецов, О. А. Липина, “Особенности состава и морфологии пленок Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S, сформированных на различных подложках”, Физика твердого тела, 62:12 (2020), 2157–2168 ; L. N. Maskaeva, V. F. Markov, A. V. Pozdin, V. I. Voronin, M. V. Kuznetsov, O. A. Lipina, “Peculiarities of the composition and morphology of Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S films formed on various substrates”, Phys. Solid State, 62:12 (2020), 2422–2433 |
1
|
| 7. |
Л. Н. Маскаева, В. М. Юрк, В. Ф. Марков, В. И. Воронин, “Влияние комплексной антиоксидантной добавки “сульфит натрия-аскорбиновая кислота” на состав, структуру и полупроводниковые свойства пленки PbSe”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1731–1740 ; L. N. Maskaeva, V. M. Yurk, V. F. Markov, V. I. Voronin, “Effect of “sodium sulfite–ascorbic acid” complex antioxidant additive on the composition, structure and semiconducting properties of PbSe film”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1949–1959 |
| 8. |
N. S. Kozhevnikova, L. N. Maskaeva, E. E. Lekomtseva, L. A. Pasechnik, A. Yu. Chufarov, O. A. Lipina, A. N. Enyashin, V. F. Markov, “A facile low-temperature deposition of Sn-rich tin (II) monosulfide colloid particles”, Наносистемы: физика, химия, математика, 11:5 (2020), 529–536  |
2
|
| 9. |
Л. Н. Маскаева, А. В. Поздин, В. Ф. Марков, В. И. Воронин, “Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе “пленка–подложка””, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1309–1319 ; L. N. Maskaeva, A. V. Pozdin, V. F. Markov, V. I. Voronin, “Effect of the substrate nature on the CdPbS film composition and mechanical stresses at the “film–substrate” interface”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1567–1576 |
9
|
| 10. |
Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. И. Воронин, Е. Э. Лекомцева, П. С. Богатова, В. Ф. Марков, “Структура, оптические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца, легированных стронцием и барием”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1041–1051 ; L. N. Maskaeva, E. V. Mostovschikova, V. I. Voronin, E. E. Lekomtseva, P. S. Bogatova, V. F. Markov, “Structure, optical, and photoelectric properties of lead-sulfide films doped with strontium and barium”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1230–1240 |
8
|
| 11. |
Л. Н. Маскаева, В. М. Юрк, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, В. И. Воронин, О. А. Липина, “Структура и фотоэлектрические свойства пленок PbSe, осажденных в присутствии аскорбиновой кислоты”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1004–1010 ; L. N. Maskaeva, V. M. Yurk, V. F. Markov, M. V. Kuznetsov, V. I. Voronin, O. A. Lipina, “Structure and photoelectric properties of PbSe films deposited in the presence of ascorbic acid”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1191–1197 |
1
|
|
2019 |
| 12. |
Л. Н. Маскаева, Е. А. Федорова, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, О. А. Липина, “Состав, структура, полупроводниковые свойства химически осажденных пленок SnSe”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 865–871 ; L. N. Maskaeva, E. A. Fedorova, V. F. Markov, M. V. Kuznetsov, O. A. Lipina, “Composition, structure, semiconductor properties of chemically deposited SnSe films”, Semiconductors, 53:6 (2019), 853–859 |
6
|
| 13. |
Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. Ф. Марков, В. И. Воронин, “Структурные, оптические и фоточувствительные свойства пленок PbS, осажденных в присутствии CaCl$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 174–180 ; L. N. Maskaeva, E. V. Mostovschikova, V. F. Markov, V. I. Voronin, “Structural, optical, and photosensitive properties of PbS films deposited in the presence of CaCl$_{2}$”, Semiconductors, 53:2 (2019), 165–171 |
5
|
|
2018 |
| 14. |
I. V. Vaganova, L. N. Maskaeva, V. F. Markov, V. I. Voronin, V. G. Bamburov, “Influence of cadmium acetate salt concentration on the composition, structure and
morphology of Cd$_x$Pb$_{1-x}$S solid soluton films”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 811–822 |
4
|
| 15. |
Л. Н. Маскаева, Е. А. Федорова, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, О. А. Липина, А. В. Поздин, “Тонкие пленки селенида меди(I): состав, морфология, структура, оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1213–1219 ; L. N. Maskaeva, E. A. Fedorova, V. F. Markov, M. V. Kuznetsov, O. A. Lipina, A. V. Pozdin, “Copper(I) selenide thin films: composition, morphology, structure, and optical properties”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1334–1340 |
3
|
|
Обратная связь: