Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 937–946
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51448.9680
(Mi phts4967)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структурные и электрофизические свойства пленок PbS, легированных Cr$^{3+}$ в процессе химического осаждения

Л. Н. Маскаеваab, Е. В. Мостовщиковаc, В. И. Воронинc, А. В. Поздинa, И. О. Селянинd, И. А. Анохинаe, В. Ф. Марковab

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
d Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
e Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН
Аннотация: Изучена эволюция морфологии, состава, структурных характеристик (постоянной решетки, микродеформаций, текстурированности), оптических и фотоэлектрических свойств пленок PbS, полученных химическим осаждением в присутствии иодида аммония и хлорида хрома (III) при концентрации до 0.02 моль/л. По данным элементного анализа энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, содержание хрома в пленках PbS имеет немонотонную зависимость от концентрации CrCl$_{3}$, и наибольшее количество составляет 1.08 ат.%. Распределение частиц по размерам является мономодальным, а средний размер частиц, формирующих пленки, варьируется от $\sim$ 100 до $\sim$ 225 нм при содержании 2–6% наночастиц. Введение в реактор NH$_{4}$I и СrCl$_{3}$ сохраняет кубическую B1 структуру сульфида свинца и приводит к увеличению ширины запрещенной зоны $E_{g}$ на 0.16–0.20 эВ, уменьшению темнового сопротивления $R_{d}$ и росту вольтовой чувствительности $U_{s}$. Зависимости $E_{g}$ и $U_{s}$ от концентрации соли хрома в реакционной ванне имеют экстремальный характер с максимумом при 0.016 моль/л, что связано с немонотонным вхождением хрома в решетку PbS. Результаты исследований вольт-амперных характеристик тонкопленочных слоев PbS(I) и PbS(I, Cr) хорошо согласуются с результатами структурных, оптических и фоточувствительных свойств.
Ключевые слова: сульфид свинца, тонкие пленки, хром (III), кристаллическая структура, оптические свойства, фоточувствительность, вольт-амперная характеристика.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.А03.21.0006
АААА-А18-118020190112-8
АААА-А18-118020290104-2
Российский фонд фундаментальных исследований 20-48-660041р_а
18-29-11051мк
Работа выполнена при финансовой поддержке программы 211 Правительства Российской Федерации № 02.А03.21.0006, грантов РФФИ № 20-48-660041р_а и 18-29-11051мк в рамках государственного задания Министерства образования и науки (тема “Поток” № АААА-А18-118020190112-8 и “Спин” № АААА-А18-118020290104-2).
Поступила в редакцию: 14.05.2021
Исправленный вариант: 25.05.2021
Принята в печать: 25.05.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 11, Pages 855–864
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262110016X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. И. Воронин, А. В. Поздин, И. О. Селянин, И. А. Анохина, В. Ф. Марков, “Структурные и электрофизические свойства пленок PbS, легированных Cr$^{3+}$ в процессе химического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 937–946; Semiconductors, 55:11 (2021), 855–864
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasMosVor21}
\by Л.~Н.~Маскаева, Е.~В.~Мостовщикова, В.~И.~Воронин, А.~В.~Поздин, И.~О.~Селянин, И.~А.~Анохина, В.~Ф.~Марков
\paper Структурные и электрофизические свойства пленок PbS, легированных Cr$^{3+}$ в процессе химического осаждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 937--946
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4967}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51448.9680}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486073}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 855--864
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262110016X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4967
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p937
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024