Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1004–1010
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49935.9411
(Mi phts5131)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структура и фотоэлектрические свойства пленок PbSe, осажденных в присутствии аскорбиновой кислоты

Л. Н. Маскаеваab, В. М. Юркa, В. Ф. Марковab, М. В. Кузнецовc, В. И. Воронинd, О. А. Липинаc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
d Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии с элементным анализом, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы тонкие пленки PbSe, полученные гидрохимическим осаждением с использованием в качестве антиоксиданта селеномочевины аскорбиновой кислоты. Изучено влияние температуры отжига на их элементный, фазовый состав, параметры кристаллической решетки, морфологию поверхности и фотоэлектрические свойства. Установлено, что после отжига при 633–683 K пленки содержат в своем составе примесные фазы PbSeO$_{3}$, PbSeO$_{4}$, PbI$_{2}$. Определена оптическая ширина запрещенной зоны $E_{g}$ слоев при непрямом и прямом переходах. Показано, что по своим пороговым фотоэлектрическим характеристикам осажденные пленки сопоставимы с известными коммерческими образцами и могут быть использованы для создания высокочувствительных ИК-детекторов.
Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, селенид свинца, термосенсибилизация, фоточувствительные свойства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Правительство Российской Федерации 02.А03.21.0006
Российский фонд фундаментальных исследований 20-48-660041 р_а
Министерство образования и науки Российской Федерации А-19-1190318.90025-9
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций АААА-А18-118020190112-8
Работа выполнена при финансовой поддержке программы 211 Правительства Российской Федерации № 02.А03.21.0006, гранта РФФИ 20-48-660041 р_а и в рамках планового задания А-19-1190318.90025-9 и государственного задания ФАНО России (тема “Поток” № АААА-А18-118020190112-8).
Поступила в редакцию: 13.04.2020
Исправленный вариант: 16.04.2020
Принята в печать: 25.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1191–1197
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262010022X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Маскаева, В. М. Юрк, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, В. И. Воронин, О. А. Липина, “Структура и фотоэлектрические свойства пленок PbSe, осажденных в присутствии аскорбиновой кислоты”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1004–1010; Semiconductors, 54:10 (2020), 1191–1197
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasYurMar20}
\by Л.~Н.~Маскаева, В.~М.~Юрк, В.~Ф.~Марков, М.~В.~Кузнецов, В.~И.~Воронин, О.~А.~Липина
\paper Структура и фотоэлектрические свойства пленок PbSe, осажденных в присутствии аскорбиновой кислоты
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1004--1010
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5131}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49935.9411}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041208}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1191--1197
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262010022X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5131
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1004
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024