|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Структура и фотоэлектрические свойства пленок PbSe, осажденных в присутствии аскорбиновой кислоты
Л. Н. Маскаеваab, В. М. Юркa, В. Ф. Марковab, М. В. Кузнецовc, В. И. Воронинd, О. А. Липинаc a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
d Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии с элементным анализом, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы тонкие пленки PbSe, полученные гидрохимическим осаждением с использованием в качестве антиоксиданта селеномочевины аскорбиновой кислоты. Изучено влияние температуры отжига на их элементный, фазовый состав, параметры кристаллической решетки, морфологию поверхности и фотоэлектрические свойства. Установлено, что после отжига при 633–683 K пленки содержат в своем составе примесные фазы PbSeO$_{3}$, PbSeO$_{4}$, PbI$_{2}$. Определена оптическая ширина запрещенной зоны $E_{g}$ слоев при непрямом и прямом переходах. Показано, что по своим пороговым фотоэлектрическим характеристикам осажденные пленки сопоставимы с известными коммерческими образцами и могут быть использованы для создания высокочувствительных ИК-детекторов.
Ключевые слова:
химическое осаждение, тонкие пленки, селенид свинца, термосенсибилизация, фоточувствительные свойства.
Поступила в редакцию: 13.04.2020 Исправленный вариант: 16.04.2020 Принята в печать: 25.04.2020
Образец цитирования:
Л. Н. Маскаева, В. М. Юрк, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, В. И. Воронин, О. А. Липина, “Структура и фотоэлектрические свойства пленок PbSe, осажденных в присутствии аскорбиновой кислоты”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1004–1010; Semiconductors, 54:10 (2020), 1191–1197
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5131 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1004
|
|