Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 865–871
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47744.9058 (Mi phts5498) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Состав, структура, полупроводниковые свойства химически осажденных пленок SnSe

Л. Н. Маскаеваab, Е. А. Федороваa, В. Ф. Марковab, М. В. Кузнецовc, О. А. Липинаc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
c Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
PDF полного текста (482 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47744.9058
Аннотация: Гидрохимическим осаждением из трилонатной реакционной смеси получены высокоадгезионные слои моноселенида олова (SnSe) толщиной до (200 $\pm$ 10) нм. Рентгеновской дифракцией установлено, что синтезированные пленки кристаллизуются в орторомбической сингонии (пр. гр. Pnma). Присутствие в поверхностных слоях пленок значительного количества кислорода объясняется частичным окислением образцов с формированием фазы SnO$_{2}$. Результаты ионного травления на глубину до 18 нм показали резкое снижение содержания кислорода по толщине и фактическое соответствие их элементному составу SnSe. Установленная по результатам оптических исследований ширина запрещенной зоны для прямых переходов составила 1.69 эВ. Синтезированные слои SnSe имеют характерный для этого материала дырочный тип проводимости.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.А03.21.0006
АААА-А16-116122810218-7
Работа поддержана программой 211 правительства Российской Федерации № 02.А03.21.0006. Оптические измерения выполнены в рамках программы Министерства науки и высшего образования Российской Федерации АААА-А16-116122810218-7.
Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 14.01.2019
Принята в печать: 14.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 853–859
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060113
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Маскаева, Е. А. Федорова, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, О. А. Липина, “Состав, структура, полупроводниковые свойства химически осажденных пленок SnSe”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 865–871; Semiconductors, 53:6 (2019), 853–859
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasFedMar19}
\by Л.~Н.~Маскаева, Е.~А.~Федорова, В.~Ф.~Марков, М.~В.~Кузнецов, О.~А.~Липина
\paper Состав, структура, полупроводниковые свойства химически осажденных пленок SnSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 865--871
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5498}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47744.9058}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133305}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 853--859
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060113}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5498
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p865
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024