Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1309–1319
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50230.9506
(Mi phts5105)
 

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе “пленка–подложка”

Л. Н. Маскаеваa, А. В. Поздинa, В. Ф. Марковab, В. И. Воронинc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: Исследована роль подложки различной природы на фазовый состав, морфологию и механические напряжения на интерфейсе “пленка–подложка” при химическом осаждении слоев CdPbS на кремнии (111), ситалле, плавленом кварце, ITO-покрытии, предметном и пористом стеклах. Высказано предположение, что выявленные особенности связаны с различными условиями зарождения и роста пленок. Установлено, что на плавленом кварце формируется однофазная пленка твердого раствора Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S в отличие от остальных субстратов, на которых осаждаются слои, содержащие дополнительно от 2 до 8 мол% рентгеноаморфной фазы CdS. Показано, что увеличение величины механических напряжений сжатия на интерфейсе “пленка–подложка” с -9.32 до -121.79 кН/м$^{2}$ в ряду пористое стекло–предметное стекло–ситалл–кремний (111)–плавленый кварц асимбатно значениям температурных коэффициентов расширения этих подложечных материалов.
Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S, механические напряжения сжатия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.А03.21.0006
АААА-А18-118020190112-8
Российский фонд фундаментальных исследований 20-48-660041р_а
18-29-11051мк
Работа выполнена при финансовой поддержке программы 211 Правительства Российской Федерации № 02.А03.21.0006, грантов РФФИ 20-48-660041р_а и № 18-29-11051мк, а также государственного задания МИНОБРНАУКИ России (тема “Поток” № АААА-А18-118020190112-8).
Поступила в редакцию: 17.08.2020
Исправленный вариант: 24.08.2020
Принята в печать: 24.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1567–1576
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120209
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Маскаева, А. В. Поздин, В. Ф. Марков, В. И. Воронин, “Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе “пленка–подложка””, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1309–1319; Semiconductors, 54:12 (2020), 1567–1576
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasPozMar20}
\by Л.~Н.~Маскаева, А.~В.~Поздин, В.~Ф.~Марков, В.~И.~Воронин
\paper Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе ``пленка--подложка''
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1309--1319
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5105}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50230.9506}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368065}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1567--1576
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120209}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5105
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1309
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024