Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1041–1051
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49941.9448
(Mi phts5136)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Структура, оптические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца, легированных стронцием и барием

Л. Н. Маскаеваab, Е. В. Мостовщиковаc, В. И. Воронинc, Е. Э. Лекомцеваa, П. С. Богатоваa, В. Ф. Марковab

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: Изучена эволюция морфологии, состава, структурных характеристик (постоянной решетки, микродеформаций, текстурированности), оптических и фотоэлектрических свойств пленок PbS, полученных гидрохимическим осаждением в присутствии иодида аммония и хлоридов стронция или бария при концентрации до 5 ммоль/л. По данным элементного EDX-анализа, содержание стронция в пленках PbS составляет 0.4–0.7 ат.%, а барий находится за пределом ошибки определения. Размер частиц, формирующих пленки, варьируется от $\sim$200 до $\sim$400 нм, а распределение частиц по размерам является мономодальным. Введение в реактор NH$_{4}$I и SrCl$_{2}$ или BaCl$_{2}$ сохраняет кубическую B1 структуру сульфида свинца, но приводит к немонотонному изменению параметра решетки, что связано с созданием дефектов типа вакансии или ионов внедрения. Введение солей стронция и бария не влияет на ширину запрещенной зоны, однако приводит к изменению интенсивностей примесных полос поглощения в глубине запрещенной зоны и вблизи дна зоны проводимости. Зависимость вольт-ваттной чувствительности пленок от концентрации солей стронция и бария в растворе носит экстремальный характер с максимумами при 0.05 и 0.1 ммоль./л соответственно.
Ключевые слова: сульфид свинца, тонкие пленки, кристаллическая структура, стронций, барий, оптические свойства, фоточувствительность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.А03.21.0006
А-19-1190318.90025-9
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации АААА-А18-118020190112-8
АААА-А18-118020290104-2
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-11051 мк
Работа выполнена при финансовой поддержке программы 211 Правительства Российской Федерации № 02.А03.21.0006, с использованием средств планового задания А-19-1190318.90025-9 и государственного задания МИНОБРНАУКИ России (тема “Поток” № АААА-А18-118020190112-8, тема “Спин” № АААА-А18-118020290104-2), а также при частичной поддержке РФФИ (грант № 18-29-11051 мк).
Поступила в редакцию: 25.05.2020
Исправленный вариант: 08.06.2020
Принята в печать: 08.06.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1230–1240
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100231
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. И. Воронин, Е. Э. Лекомцева, П. С. Богатова, В. Ф. Марков, “Структура, оптические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца, легированных стронцием и барием”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1041–1051; Semiconductors, 54:10 (2020), 1230–1240
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasMosVor20}
\by Л.~Н.~Маскаева, Е.~В.~Мостовщикова, В.~И.~Воронин, Е.~Э.~Лекомцева, П.~С.~Богатова, В.~Ф.~Марков
\paper Структура, оптические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца, легированных стронцием и барием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1041--1051
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5136}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49941.9448}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041213}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1230--1240
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100231}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5136
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1041
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:76
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024