Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 174–180
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47095.8907
(Mi phts5583)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структурные, оптические и фоточувствительные свойства пленок PbS, осажденных в присутствии CaCl$_{2}$

Л. Н. Маскаеваab, Е. В. Мостовщиковаc, В. Ф. Марковab, В. И. Воронинc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий, Екатеринбург, Россия
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: Синтезированы поликристаллические пленки сульфида свинца PbS, легированного кальцием, на подложках из ситалла и стекла методом гидрохимического осаждения с использованием тиокарбамида и добавки CaCl$_{2}$ до 5 ммоль/л. Введение добавки CaCl$_{2}$ в реакционный раствор существенно увеличивает индукционный период процесса синтеза. Толщина пленок PbS составляет 200 нм, PbS(Ca) – 150 нм при среднем размере кристаллитов $\sim$100 нм. Максимальная концентрация кальция в составе пленок составляет 0.06 ат% для слоев на ситалле и 0.11 ат% для слоев на стекле. Легирование кальцием не влияет на кристаллическую структуру сульфида свинца (кубическая B1 структура, пространственная группа $Fm3\bar m$), но приводит к увеличению периода кристаллической решетки с $a$ = 0.59343(2) до $a$ = 0.59413(1) нм, а также к росту величины микродеформаций и частичному упорядочению кристаллитов, формирующих пленку. Ширина запрещенной зоны уменьшается при введении кальция от $E_{g}$ = 0.40 эВ при 295 K (0.38 эВ при 90 K) до $E_{g}$ = 0.38 эВ (0.37 эВ). Введение в реакционную смесь CaCl$_{2}$ до 5 ммоль/л приводит к повышению вольт-ваттной чувствительности пленок в $\sim$1.7 раза, что связывается с образованием в их составе кислородсодержащих соединений в результате увеличения длительности индукционного периода процесса синтеза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.А03.21.0006
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций АААА-А18-118020190112-8
АААА-А18-118020290104-2
Уральское отделение Российской академии наук 18-10-2-37
Работа выполнена при финансовой поддержке программы 211 правительства Российской Федерации № 02.А03.21.0006 и УНУ НМК ИФМ в рамках государственного задания ФАНО России (тема “Поток” № АААА-А18-118020190112-8). Оптические исследования выполнены в рамках государственного задания ФАНО России для ИФМ УрО РАН (тема “Спин”, № АААА-А18-118020290104-2) и по проекту № 18-10-2-37 Программы УрО РАН.
Поступила в редакцию: 14.05.2018
Исправленный вариант: 29.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 165–171
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020179
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. Ф. Марков, В. И. Воронин, “Структурные, оптические и фоточувствительные свойства пленок PbS, осажденных в присутствии CaCl$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 174–180; Semiconductors, 53:2 (2019), 165–171
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasMosMar19}
\by Л.~Н.~Маскаева, Е.~В.~Мостовщикова, В.~Ф.~Марков, В.~И.~Воронин
\paper Структурные, оптические и фоточувствительные свойства пленок PbS, осажденных в присутствии CaCl$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 174--180
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5583}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47095.8907}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476766}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 165--171
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020179}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5583
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p174
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:40
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024