|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин, “Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1021–1026   |
| 2. |
П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710 ; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001 |
| 3. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste, “Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 86–95 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, H. Leiste, “Structural and spectroscopic studies of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructure layer and protoporous silicon”, Semiconductors, 55:1 (2021), 122–131 |
1
|
| 4. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, “Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 34–40 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, “Spectroscopic studies of integrated GaAs/Si heterostructures”, Semiconductors, 55:1 (2021), 44–50 |
3
|
|
2020 |
| 5. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 491–503 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 |
3
|
| 6. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 346–354 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 |
2
|
|
2019 |
| 7. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. А. Ипполитов, Jitraporn(Pimm) Vongsvivut, “Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии”, Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019), 917–925 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, Yu. A. Ippolitov, Jitraporn(Pimm) Vongsvivut, “A spectroscopic study of changes in the secondary structure of proteins of biological fluids of the oral cavity by synchrotron infrared microscopy”, Optics and Spectroscopy, 127:6 (2019), 1002–1010 |
3
|
| 8. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1141–1151 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130 |
| 9. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1010–1016 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 |
2
|
| 10. |
Э. П. Домашевская, Д. Л. Голощапов, Аль Хайлани Хасан Исмаил Дамбос, Е. В. Руднев, М. В. Гречкина, С. В. Рябцев, “Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 940–946 ; È. P. Domashevskaya, D. L. Goloshchapov, Al Khailani Hasan Ismail Dambos, E. V. Rudnev, M. V. Grechkina, S. V. Ryabtsev, “On the morphology and optical properties of molybdenum disulfide nanostructures from a monomolecular layer to a fractal-like substructure”, Semiconductors, 53:7 (2019), 923–929 |
2
|
| 11. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 70–76 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71 |
| 12. |
Е. А. Тутов, Д. Л. Голощапов, В. П. Зломанов, “Фазовый переход полупроводник-металл и “тристабильное” электрическое переключение в нанокристаллических пленках оксида ванадия на кремнии”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 3–5 ; E. A. Tutov, D. L. Goloshchapov, V. P. Zlomanov, “Semiconductor–metal phase transition and “tristable” electrical switching in nanocrystalline vanadium oxide films on silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 584–587 |
| 13. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке, “Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 545–551 [P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551   ] |
2
|
|
2018 |
| 14. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, T. Prutskij, Ю. А. Ипполитов, “Единовременный анализ микрообластей кариозного дентина методами лазерно-индуцированной флуоресценции и рамановской спектромикроскопии”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 708–715 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, T. Prutskij, Yu. A. Ippolitov, “A simultaneous analysis of microregions of carious dentin by the methods of laser-induced fluorescence and Raman spectromicroscopy”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 803–809 |
6
|
| 15. |
Д. Л. Голощапов, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита”, Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018), 191–196 ; D. L. Goloshchapov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Photoluminescence properties of nanoporous nanocrystalline carbonate-substituted hydroxyapatite”, Optics and Spectroscopy, 124:2 (2018), 187–192 |
7
|
| 16. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1553–1562 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 |
2
|
| 17. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, “Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1041–1048 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, “Effect of conditions of electrochemical etching on the morphological, structural, and optical properties of porous gallium arsenide”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170 |
1
|
| 18. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, “Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 881–890 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 |
3
|
|
2017 |
| 19. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1160–1167 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P on their optical properties”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1111–1118 |
1
|
|
Обратная связь: