Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1041–1048
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46231.8659
(Mi phts5737)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, А. В. Федюкинa, Д. Л. Голощаповa, А. Н. Лукинa, И. Н. Арсентьевb, А. В. Жаботинскийb

a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии в работе изучены свойства образцов пористого GaAs, полученного методом электрохимического травления монокристаллических пластин $n$-GaAs(100). Удалось показать, что подбором состава электролита и условий травления могут быть получены образцы не только с различной степенью пористости и размером пор (нано/микро), но и иным типом поверхности образца. Травление $n$-GaAs(100) в выбранных условиях не приводит к изменению ориентации пористого слоя относительно ориентации монокристаллической подложки GaAs(100), ведет к уменьшению полуширины дифракционного максимума по сравнению с исходной пластиной, приводит к расщеплению фононной моды в инфракрасных спектрах и частотному сдвигу компонент с учетом параметров анодного травления, а также меняет оптические свойства в ультрафиолетовом диапазоне.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МД-188.2017.2
11.4718.2017/8.9
Работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ МД-188.2017.2. В части диагностики пористых структур работа поддержана грантом № 11.4718.2017/8.9 Министерства образования и науки России в рамках государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2017–2019 г.
Поступила в редакцию: 05.06.2017
Принята в печать: 27.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1163–1170
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090154
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, “Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1041–1048; Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerLenFed18}
\by П.~В.~Середин, А.~С.~Леньшин, А.~В.~Федюкин, Д.~Л.~Голощапов, А.~Н.~Лукин, И.~Н.~Арсентьев, А.~В.~Жаботинский
\paper Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1041--1048
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5737}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46231.8659}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903550}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1163--1170
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090154}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5737
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1041
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:53
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024