|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, А. В. Федюкинa, Д. Л. Голощаповa, А. Н. Лукинa, И. Н. Арсентьевb, А. В. Жаботинскийb a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии в работе изучены свойства образцов пористого GaAs, полученного методом электрохимического травления монокристаллических пластин $n$-GaAs(100). Удалось показать, что подбором состава электролита и условий травления могут быть получены образцы не только с различной степенью пористости и размером пор (нано/микро), но и иным типом поверхности образца. Травление $n$-GaAs(100) в выбранных условиях не приводит к изменению ориентации пористого слоя относительно ориентации монокристаллической подложки GaAs(100), ведет к уменьшению полуширины дифракционного максимума по сравнению с исходной пластиной, приводит к расщеплению фононной моды в инфракрасных спектрах и частотному сдвигу компонент с учетом параметров анодного травления, а также меняет оптические свойства в ультрафиолетовом диапазоне.
Поступила в редакцию: 05.06.2017 Принята в печать: 27.11.2017
Образец цитирования:
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, “Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1041–1048; Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5737 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1041
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 53 |
|