Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 940–946
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47871.9090
(Mi phts5459)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры

Э. П. Домашевская, Д. Л. Голощапов, Аль Хайлани Хасан Исмаил Дамбос, Е. В. Руднев, М. В. Гречкина, С. В. Рябцев

Воронежский государственный университет
Аннотация: Целью работы является показать влияние толщины слоев на особенности морфологии и оптических свойств наноструктур MоS$_{2}$, в том числе мономолекулярных слоев, образующихся при газотранспортном переносе паров серы в горячую зону реактора с металлическим молибденом и последующем осаждении на подложку из слюды (мускавит). Результаты исследования методами атомной силовой микроскопии АСМ, оптической спектроскопии поглощения и рамановской спектроскопии наноструктур дисульфида молибдена разной толщины, полученных при различных температурах газотранспортного синтеза, показывают, что в интервале температур 525–600$^\circ$C можно получить мономолекулярный слой MоS$_{2}$, содержащий тригональные домены и обладающий шириной запрещенной зоны 1.84 эВ при прямозонном оптическом переходе с образованием экситонов при комнатной температуре. Впервые получены фракталообразные субструктуры, в рамановских спектрах которых значения мод внутрислоевых и межслоевых колебаний $E^{1}_{2g}$ 377.5 и $A_{1g}$ 403.8 см$^{-1}$ отличаются не только от соответствующих значений мод мономолекулярного слоя, но и от известных значений объемных образцов. Частота внутрислоевой моды в этих образцах $E^{1}_{2g}$ 377.5 см$^{-1}$ имеет минимальное из всех известных значений.
Ключевые слова: дисульфид молибдена, газотранспортный синтез, мономолекулярный слой, прямозонный переход, тригональные домены.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.6263.2017/ВУ
16.8158.2017/8.9
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки России в рамках государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2017–2019 годы, проекты № 3.6263.2017/ВУ и № 16.8158.2017/8.9.
Поступила в редакцию: 25.02.2019
Исправленный вариант: 05.03.2019
Принята в печать: 05.03.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 923–929
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261907008X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. П. Домашевская, Д. Л. Голощапов, Аль Хайлани Хасан Исмаил Дамбос, Е. В. Руднев, М. В. Гречкина, С. В. Рябцев, “Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 940–946; Semiconductors, 53:7 (2019), 923–929
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DomGolIsm19}
\by Э.~П.~Домашевская, Д.~Л.~Голощапов, Аль~Хайлани~Хасан~Исмаил~Дамбос, Е.~В.~Руднев, М.~В.~Гречкина, С.~В.~Рябцев
\paper Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 940--946
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5459}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47871.9090}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133320}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 923--929
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261907008X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5459
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p940
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:41
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024