|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
П. В. Серединab, А. С. Леньшинa, Д. С. Золотухинa, Д. Л. Голощаповa, А. М. Мизеровc, И. Н. Арсентьевd, А. Н. Бельтюковe a Воронежский государственный университет
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, г. Ижевск
Аннотация:
Показано влияние использования переходного нанопористого подслоя кремния por-Si на морфологические, физические и структурные свойства наноколончатых структур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на монокристаллических Si(111) подложках. Комплексом структурно-спектроскопических методов анализа изучено электронное строение выращенных гетероструктур, морфология и оптические свойства, а также установлены взаимосвязи между ними. Показано, что использование подслоя por-Si позволяет получить более однородное распределение диаметров наноколонн In$_{x}$Ga$_{1-x}$N, равно как увеличить интенсивность фотолюминесценции последних.
Ключевые слова:
нитрид галлия, кремниевая технология, фотолюминесценция, нуклеация, плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия.
Поступила в редакцию: 12.02.2019 Исправленный вариант: 26.02.2019 Принята в печать: 26.02.2019
Образец цитирования:
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1010–1016; Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5470 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p1010
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 18 |
|