Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 1010–1016
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47882.9084 (Mi phts5470) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

П. В. Серединab, А. С. Леньшинa, Д. С. Золотухинa, Д. Л. Голощаповa, А. М. Мизеровc, И. Н. Арсентьевd, А. Н. Бельтюковe

a Воронежский государственный университет
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, г. Ижевск
PDF полного текста (1085 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47882.9084
Аннотация: Показано влияние использования переходного нанопористого подслоя кремния por-Si на морфологические, физические и структурные свойства наноколончатых структур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на монокристаллических Si(111) подложках. Комплексом структурно-спектроскопических методов анализа изучено электронное строение выращенных гетероструктур, морфология и оптические свойства, а также установлены взаимосвязи между ними. Показано, что использование подслоя por-Si позволяет получить более однородное распределение диаметров наноколонн In$_{x}$Ga$_{1-x}$N, равно как увеличить интенсивность фотолюминесценции последних.
Ключевые слова: нитрид галлия, кремниевая технология, фотолюминесценция, нуклеация, плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МД-42.2019.2

11.4718.2017/8.9
02.A03.21.0006
16.9789.2017/БЧ
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Президента РФ МД-42.2019.2 и постановления № 211 Правительства Российской Федерации. В части диагностики интегрированных структур работа поддержана грантом № 11.4718.2017/8.9 Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках Государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2017–2019 гг. и постановления № 211 Правительства Российской Федерации, контракт № 02.A03.21.0006. Ростовые эксперименты проводились в рамках выполнения государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации № 16.9789.2017/БЧ. Работа в части исследований управления морфологией и составом монолитной и пористой подложек, выполнена при финансовой поддержке ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Поступила в редакцию: 12.02.2019
Исправленный вариант: 26.02.2019
Принята в печать: 26.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 993–999
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070224
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1010–1016; Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerLenZol19}
\by П.~В.~Середин, А.~С.~Леньшин, Д.~С.~Золотухин, Д.~Л.~Голощапов, А.~М.~Мизеров, И.~Н.~Арсентьев, А.~Н.~Бельтюков
\paper Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 1010--1016
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5470}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47882.9084}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133331}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 993--999
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070224}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5470
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p1010
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024