Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)

С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) получены интегрированные гетероструктуры на основе самоупорядоченного массива наноколонн GaN на подложках из Si с достаточно однородным распределением диаметров, впоследствии коалесцировавших в 2D слой. Применение "податливой" подложки por-Si для синтеза GaN методом МПЭ ПА позволило получить свободный от трещин GaN-слой, предотвратить процесс травления Ga – Si, сохранить резкий гладкий интерфейс Si – GaN, а также частично подавить генерацию напряжений растяжения, возникающих при охлаждении гетероструктуры от температуры роста до комнатной путем ее релаксации на нанопористом интерфейсе Si – GaN, что позитивно отразилось на его оптических свойствах в УФ области.