|
Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 6, страницы 545–551
(Mi qe17065)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'
Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
П. В. Серединab, Д. Л. Голощаповa, Д. С. Золотухинa, А. С. Леньшинa, А. М. Мизеровc, И. Н. Арсентьевd, Г. Ляйстеe, М. Ринкеe a Воронежский государственный университет
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет РАН, г. С.-Петербург
d Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
e Karlsruhe Nano Micro Facility, Germany
Аннотация:
С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) получены интегрированные гетероструктуры на основе самоупорядоченного массива наноколонн GaN на подложках из Si с достаточно однородным распределением диаметров, впоследствии коалесцировавших в 2D слой. Применение "податливой" подложки por-Si для синтеза GaN методом МПЭ ПА позволило получить свободный от трещин GaN-слой, предотвратить процесс травления Ga – Si, сохранить резкий гладкий интерфейс Si – GaN, а также частично подавить генерацию напряжений растяжения, возникающих при охлаждении гетероструктуры от температуры роста до комнатной путем ее релаксации на нанопористом интерфейсе Si – GaN, что позитивно отразилось на его оптических свойствах в УФ области.
Ключевые слова:
нитрид галлия, наноколонны, молекулярно-пучковая эпитаксия, пористый кремний, оптические и электронные свойства.
Поступила в редакцию: 04.04.2019
Образец цитирования:
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке, “Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 545–551 [Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe17065 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i6/p545
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 173 | PDF полного текста: | 37 | Список литературы: | 18 | Первая страница: | 12 |
|