|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Н. Н. Брагин, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, “Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP”, Квантовая электроника, 53:11 (2023), 883–886  [N. N. Bragin, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, “Features of high-power uni-traveling-carrier InGaAs/InP photodiodes”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S180–S184] |
| 2. |
Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 53:7 (2023), 561–564 [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “New high-reliability optical transmission modules based on powerful superluminescent diodes in the spectral range 1.5 – 1.6 μm”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1246–S1251] |
|
2022 |
| 3. |
Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов”, Квантовая электроника, 52:6 (2022), 577–579 [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Compact superluminescent AlGaInAs/InP strain-compensated quantum-well diodes for fibre-optic gyroscopes”, Quantum Electron., 52:6 (2022), 577–579  ] |
1
|
|
2021 |
| 4. |
В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 909–911  [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911  ] |
1
|
| 5. |
Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021), 283–286 [N. A. Volkov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (λ = 1450–1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides”, Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286 ] |
5
|
| 6. |
Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 133–136 [N. A. Volkov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (λ = 1450 – 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136 ] |
5
|
|
2020 |
| 7. |
В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1123–1125 [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, N. A. Volkov, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide and an increased electron barrier”, Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125 ] |
5
|
| 8. |
Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 830–833 [D. R. Sabitov, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Superluminescent diodes in the spectral range of 1.5–1.6 μm based on strain-compensated AlGaInAs/InP quantum wells”, Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833 ] |
3
|
| 9. |
О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов, “Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:6 (2020), 600–602 [O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, V. A. Simakov, V. N. Svetogorov, R. V. Chernov, “1.5 – 1.6 μm semiconductor lasers with an asymmetric periodic optically coupled waveguide”, Quantum Electron., 50:6 (2020), 600–602 ] |
1
|
|
2019 |
| 10. |
А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 519–521 [A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521 ] |
1
|
|
Обратная связь: