|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки”, Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019), 297–302   ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Stimulated emission at a wavelength of $2.86 \mu$m from In(Sb, As)/In(Ga, Al)As/GaAs metamorphic quantum wells under optical pumping”, JETP Letters, 110:5 (2019), 313–318   |
5
|
| 2. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 381–386 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Effect of strongly mismatched GaAs and InAs inserts in a InAlAs buffer layer on the structural and optical properties of metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs quantum-confined heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 377–381 |
6
|
|
2018 |
| 3. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 127–132 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 |
8
|
|
2017 |
| 4. |
М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 56–62 ; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 |
2
|
| 5. |
Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 67–74 ; D. V. Nechaev, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Stress generation and relaxation in (Al, Ga)N/6$H$-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 443–446 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1726 ; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 |
2
|
| 7. |
Е. В. Иванова, А. А. Ситникова, О. В. Александров, М. В. Заморянская, “Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 807–810 ; E. V. Ivanova, A. A. Sitnikova, O. V. Aleksandrov, M. V. Zamoryanskaya, “Growth of silicon nanoclusters in thermal silicon dioxide under annealing in an atmosphere of nitrogen”, Semiconductors, 50:6 (2016), 791–794 |
5
|
| 8. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 66–71 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, L. M. Sorokin, “Development of a spinodal decomposition model for the example of a heterostructure based on silicon carbide polytypes”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1153–1155 |
1
|
| 9. |
Б. Т. Мелех, Д. А. Курдюков, Д. А. Явсин, В. М. Кожевин, С. А. Гуревич, С. В. Гастев, М. П. Волков, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, А. Б. Певцов, “Наноструктурированные магнитные пленки оксидов железа, полученные методом лазерного электродиспергирования”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 62–69 ; B. T. Melekh, D. A. Kurdyukov, D. A. Yavsin, V. M. Kozhevin, S. A. Gurevich, S. V. Gastev, M. P. Volkov, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, A. B. Pevtsov, “Nanostructured magnetic films of iron oxides fabricated by laser electrodispersion”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1005–1008 |
4
|
| 10. |
М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 40–48 ; M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, A. E. Romanov, “Complex use of the diffraction techniques in depth profiling of the crystal lattice parameter and composition of InGaAs/GaAs gradient layers”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467 |
6
|
|
1992 |
| 11. |
Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, С. С. Рувимов, А. А. Ситникова, Д. В. Тархин, Ю. Г. Шретер, “Классификация линий дислокационной люминесценции в кремнии”, Физика твердого тела, 34:5 (1992), 1513–1521 |
|
1991 |
| 12. |
Л. М. Сорокин, А. А. Ситникова, И. Ф. Червоный, Э. С. Фалькевич, “Механизм микродефектов при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния”, Физика твердого тела, 33:11 (1991), 3229–3234 |
|
1990 |
| 13. |
К. Л. Малышев, А. Е. Романов, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Коэситная природа стержнеобразных дефектов в выращенном по Чохральскому и отожженном кремнии”, Физика твердого тела, 32:12 (1990), 3659–3667 |
1
|
|
1988 |
| 14. |
К. Л. Малышев, М. Ю. Гуткин, А. Е. Романов, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Поля напряжений и дифракционный контраст стержнеобразных дефектов в кремнии”, Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2040–2045 ; K. L. Malyshev, M. Yu. Gutkin, A. E. Romanov, A. A. Sitnikova, L. M. Sorokin, “Stress fields and diffraction contrast of rod-like defects in silicon”, Phys. Solid State, 30:7 (1988), 1176–1179 |
6
|
| 15. |
Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, А. А. Ситникова, Ш. Б. Утамурадова, “Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс
углерода и марганца”, ЖТФ, 58:11 (1988), 2272–2274 |
|
1987 |
| 16. |
А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, Э. Г. Шейхет, “Исследование микродефектов $D$-типа в монокристаллах кремния”, Физика твердого тела, 29:9 (1987), 2623–2628 |
|
1986 |
| 17. |
А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, И. Е. Таланин, К. Л. Малышев, Э. Г. Шейхет, Э. С. Фалькевич, “Исследование природы микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния”, Физика твердого тела, 28:6 (1986), 1829–1833 |
14
|
|
1985 |
| 18. |
Р. Н. Кютт, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Диффузное рассеяние от стержнеобразных дефектов в кристаллах кремния с кислородом”, Физика твердого тела, 27:3 (1985), 673–677 |
|
1984 |
| 19. |
П. В. Петрашень, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Измерение локальной толщины кристаллов и получение профилей
распределения дефектов по глубине и ионно-легированных слоях кремния
методом электронной микроскопии”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1330–1333 |
|
Обратная связь: