|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 807–810
(Mi phts6443)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
Е. В. Ивановаa, А. А. Ситниковаa, О. В. Александровb, М. В. Заморянскаяa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Впервые обнаружено, что при высокотемпературном отжиге ($T$ = 1150$^\circ$C) в среде осушенного азота в приповерхностном слое термического диоксида кремния происходит образование нанокластеров кремния. Изучение спектров катодолюминесценции указывает на то, что при таком отжиге диоксида кремния образуется приповерхностная дефектная область, в которой при длительном отжиге формируются нанокластеры кремния. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано, что кластеры кремния имеют размеры 3–5.5 нм и располагаются на глубине около 10 нм от поверхности. Материалом для формирования нанокластеров кремния, служит кремний из термической пленки диоксида кремния. Такой метод формирования нанокластеров кремния предложен впервые.
Поступила в редакцию: 03.11.2015 Принята в печать: 19.11.2015
Образец цитирования:
Е. В. Иванова, А. А. Ситникова, О. В. Александров, М. В. Заморянская, “Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 807–810; Semiconductors, 50:6 (2016), 791–794
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6443 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p807
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 12 |
|