Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 807–810 (Mi phts6443)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота

Е. В. Ивановаa, А. А. Ситниковаa, О. В. Александровb, М. В. Заморянскаяa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Впервые обнаружено, что при высокотемпературном отжиге ($T$ = 1150$^\circ$C) в среде осушенного азота в приповерхностном слое термического диоксида кремния происходит образование нанокластеров кремния. Изучение спектров катодолюминесценции указывает на то, что при таком отжиге диоксида кремния образуется приповерхностная дефектная область, в которой при длительном отжиге формируются нанокластеры кремния. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано, что кластеры кремния имеют размеры 3–5.5 нм и располагаются на глубине около 10 нм от поверхности. Материалом для формирования нанокластеров кремния, служит кремний из термической пленки диоксида кремния. Такой метод формирования нанокластеров кремния предложен впервые.
Поступила в редакцию: 03.11.2015
Принята в печать: 19.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 791–794
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Иванова, А. А. Ситникова, О. В. Александров, М. В. Заморянская, “Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 807–810; Semiconductors, 50:6 (2016), 791–794
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaSitAle16}
\by Е.~В.~Иванова, А.~А.~Ситникова, О.~В.~Александров, М.~В.~Заморянская
\paper Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 807--810
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6443}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368916}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 791--794
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6443
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p807
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024