|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. Д. Жуков, И. Т. Ягудин, Н. П. Абаньшин, Д. С. Мосияш, “Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 40–43   ; N. D. Zhukov, I. T. Yagudin, N. P. Abanshin, D. S. Mosiyash, “A study of quantum dots in a multigrain layer of a planar-end microstructure”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1088–1091 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
Н. Д. Жуков, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, “О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 340–344 ; N. D. Zhukov, A. I. Mikhailov, D. S. Mosiyash, “Mechanism and features of field emission in semiconductors”, Semiconductors, 53:3 (2019), 321–325 |
1
|
| 3. |
М. В. Гавриков, Н. Д. Жуков, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, “Электронно-эмиссионные свойства полупроводниковых субмикронных частиц”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 46–49 ; M. V. Gavrikov, N. D. Zhukov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, “Electron emission properties of submicron semiconductor particles”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1230–1233 |
|
2018 |
| 4. |
В. Ф. Кабанов, Е. Г. Глуховской, Д. С. Мосияш, Н. Д. Жуков, “Особенности эмиссии в нанозёренной структуре полупроводников”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 8(74), 26–31 |
| 5. |
Н. Д. Жуков, В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, М. И. Шишкин, “Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 83–88 ; N. D. Zhukov, V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, M. I. Shishkin, “Peculiarities of the properties of III–V semiconductors in a multigrain structure”, Semiconductors, 52:1 (2018), 78–83 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
Н. Д. Жуков, Д. С. Мосияш, И. В. Синёв, А. А. Хазанов, А. В. Смирнов, И. В. Лапшин, “Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 72–79 ; N. D. Zhukov, D. S. Mosiyash, I. V. Sinev, A. A. Khazanov, A. V. Smirnov, I. V. Lapshin, “Mechanisms of current transfer in electrodeposited layers of submicron semiconductor particles”, Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1124–1127 |
7
|
|
2016 |
| 7. |
Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, Д. С. Мосияш, “Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен поверхности полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 911–917 ; N. D. Zhukov, E. G. Glukhovskoy, D. S. Mosiyash, “Local emission spectroscopy of surface micrograins in A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ semiconductors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 894–900 |
7
|
| 8. |
Н. П. Абаньшин, Ю. А. Аветисян, Г. Г. Акчурин, А. П. Логинов, С. П. Морев, Д. С. Мосияш, А. Н. Якунин, “Планарная наноструктура с полевой эмиссией пленки алмазоподобного углерода для построения низковольтного катода с развитой поверхностью”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 25–32 ; Abanshin N.P, Yu. A. Avetisyan, G. G. Akchurin, A. P. Loginov, S. P. Morev, D. S. Mosiyash, A. N. Yakunin, “A planar diamond-like carbon nanostructure for a low-voltage field emission cathode with a developed surface”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 509–512 |
9
|
|
Обратная связь: