Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 10, страницы 25–32 (Mi pjtf6412)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Планарная наноструктура с полевой эмиссией пленки алмазоподобного углерода для построения низковольтного катода с развитой поверхностью

Н. П. Абаньшинa, Ю. А. Аветисянb, Г. Г. Акчуринbc, А. П. Логиновa, С. П. Моревde, Д. С. Мосияшa, А. Н. Якунинb

a OOO "Волга-Свет", Саратов
b Институт проблем точной механики и управления РАН, г. Саратов
c Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
d НПП "Торий", Москва
e Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
PDF полного текста (312 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Обсуждаются вопросы эффективного решения проблем, связанных с разработкой долговечных низковольтных автоэмиссионных катодов с развитой рабочей поверхностью и высокой плотностью тока полевой эмиссии. Приведены результаты практической реализации концепции многоэлектродных планарных наноструктур на основе полевой эмиссии пленки алмазоподобного углерода. Высокая средняя плотность тока 0.1–0.3 A $\cdot$ cm$^{-2}$ обеспечивается формированием контролируемой зоны локализации поля лезвийной структуры. Достигнутая долговечность образцов катода на уровне 700–3000 h обусловлена положительным влиянием ряда факторов, включая стабилизирующие свойства алмазоподобной углеродной пленки, защиту эмиттера от ионной бомбардировки, использование системы балластных сопротивлений, а также низковольтность за счет субмикронных межэлектродных зазоров.
Поступила в редакцию: 06.01.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 5, Pages 509–512
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016050175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. П. Абаньшин, Ю. А. Аветисян, Г. Г. Акчурин, А. П. Логинов, С. П. Морев, Д. С. Мосияш, А. Н. Якунин, “Планарная наноструктура с полевой эмиссией пленки алмазоподобного углерода для построения низковольтного катода с развитой поверхностью”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 25–32; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 509–512
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbaAveAkc16}
\by Н.~П.~Абаньшин, Ю.~А.~Аветисян, Г.~Г.~Акчурин, А.~П.~Логинов, С.~П.~Морев, Д.~С.~Мосияш, А.~Н.~Якунин
\paper Планарная наноструктура с полевой эмиссией пленки алмазоподобного углерода для построения низковольтного катода с развитой поверхностью
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 10
\pages 25--32
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6412}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368203}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 5
\pages 509--512
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016050175}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6412
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i10/p25
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024