|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128   ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov, “Features of MIS structures based on insulating PbSnTe:In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, “Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1207–1211 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, V. S. Epov, O. E. Tereshchenko, “Surface сonductivity dynamics in PbSnTe : In films in the vicinity of a band inversion”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1182–1186 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, В. С. Эпов, “Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1401–1406 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, V. S. Epov, “Field effect in PbSnTe : In films with low conductivity in the mode of injection from contacts and space-charge limitation of the current”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1505–1510 |
2
|
|
2017 |
| 4. |
А. Э. Климов, В. С. Эпов, “Гигантское магнетосопротивление пленок PbSnTe:In в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом: угловые особенности и влияние поверхности”, Письма в ЖЭТФ, 106:7 (2017), 426–433 ; A. E. Klimov, V. S. Epov, “Giant magnetoresistance of PbSnTe:In films in the space-charge-limited current regime: Angular features and effect of the surface”, JETP Letters, 106:7 (2017), 446–453   |
4
|
| 5. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, А. С. Ярошевич, М. Л. Савченко, В. С. Эпов, Е. В. Федосенко, “Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1574–1578 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, A. S. Yaroshevich, M. L. Savchenko, V. S. Epov, E. V. Fedosenko, “Long-wavelength sensitivity limit in MBE-grown PbSnTe:In films: Correlation with the film structure and composition”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1522–1526 |
2
|
| 6. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, “Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1569–1573 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, S. P. Suprun, V. S. Epov, “Effect of the surface on transport phenomena in PbSnTe : In/BaF$_{2}$ films”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1517–1521 |
|
2016 |
| 7. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, “Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1713–1719 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, S. V. Morozov, S. P. Suprun, V. S. Epov, A. V. Ikonnikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, “Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1684–1690 |
9
|
| 8. |
Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, В. С. Эпов, “Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1662–1668 ; D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, V. N. Shumskii, V. S. Epov, “PbSnTe:In compound: Electron capture levels, galvanomagnetic properties, and THz sensitivity”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1635–1640 |
| 9. |
А. Э. Климов, В. С. Эпов, “Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1501–1508 ; A. E. Klimov, V. S. Epov, “Anisotropy of the magnetocapacitance of structures based on PbSnTe : In/BaF$_{2}$ films”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1479–1487 |
1
|
| 10. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский, В. С. Эпов, “Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 447–453 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, V. N. Shumskii, V. S. Epov, “Specific temperature-related features of photoconductivity relaxation in PbSnTe:In films under interband excitation”, Semiconductors, 50:4 (2016), 440–446 |
4
|
|
Обратная связь: