Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1401–1406
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46747.26 (Mi phts5650) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом

А. Н. Акимовa, А. Э. Климовab, В. С. Эповa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
PDF полного текста (672 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46747.26
Аннотация: При $T$ = 4.2 K впервые экспериментально наблюдалось сильное (до 4 раз) изменение тока, ограниченного пространственным зарядом, в образцах на основе полуизолирующих пленок PbSnTe : In, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках (111) BaF$_{2}$. Полученные результаты согласуются с экспериментами по влиянию на ток, ограниченный пространственным зарядом, обработки поверхности пленок PbSnTe : In с изменением величины тока до 10$^{3}$ и более раз. На качественном уровне рассмотрена модель, предполагающая существенный вклад локализованных поверхностных состояний в пространственный заряд, образующийся в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, вследствие инжекции носителей заряда из контактов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00575
Российский научный фонд 17-12-01047
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ, проект № 17-02-00575 (проведение измерений и анализ результатов) и РНФ, проект № 17-12-01047 (изготовление образцов).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1505–1510
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120035
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Акимов, А. Э. Климов, В. С. Эпов, “Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1401–1406; Semiconductors, 52:12 (2018), 1505–1510
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkiKliEpo18}
\by А.~Н.~Акимов, А.~Э.~Климов, В.~С.~Эпов
\paper Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1401--1406
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5650}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46747.26}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903623}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1505--1510
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120035}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5650
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1401
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024