Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении

Исследованы временные зависимости изменения фотопроводимости в пленках PbSnTe : In в интервале $T\approx$ 19–25 K при межзонном возбуждении. Обнаружено, что характер релаксации проводимости после выключения освещения зависит от длительности и интенсивности предшествующего освещения. При этом характерные времена релаксации для разных способов освещения могут отличаться более чем на порядок. Полученные результаты обсуждаются в рамках модели, предполагающей наличие в запрещенной зоне PbSnTe : In квазинепрерывного спектра уровней захвата, а также возможное влияние на параметры таких уровней сегнетоэлектрического фазового перехода, температура которого лежит в исследуемом температурном диапазоне.