Гигантское магнетосопротивление пленок PbSnTe:In в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом: угловые особенности и влияние поверхности

В режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, при $T= 4.2\,$К исследовано магнетосопротивление (МС) пленок PbSnTe:In/(111)BaF$_2$ при различной взаимной ориентации магнитного поля $\mathbf{ B}$ (напряженностью до $4$ Тл) по отношению к электрическому полю $\mathbf{ E}$ (напряженностью до ${\sim}\,10^3$ В/см) и нормали к поверхности $\mathbf{ n}$. При $\mathbf{ B}\parallel\mathbf{ n}$ уменьшение тока достигает ${\sim}\,10^5$ раз, при $\mathbf{ B}\parallel\mathbf{ E}$ ток увеличивается до ${\sim}\,10^3$ раз. Исследованы угловые зависимости МС при “вращении” $\mathbf{ B}$ в трех различных плоскостях. Для плоскости, соответствующей ориентации $\mathbf{ B}\perp\mathbf{ E}$, на угловых зависимостях МС наблюдаются локальные максимумы вблизи ориентаций $\mathbf{ B}\perp\mathbf{ E}$, при которых носители заряда отклоняются магнитным полем к одной из границ пленки. При отклонении к свободной поверхности полуширина максимумов составляет несколько градусов. При отклонении к границе с подложкой полуширина максимумов больше примерно на порядок, а их амплитуда меньше в $10$–$100$ раз. Обсуждаются возможные механизмы гигантского положительного и отрицательного МС и влияние границ пленки на угловые зависимости магнетосопротивления.