|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 340–342  [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power quasi-cw semiconductor lasers (1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 340–342  ] |
3
|
|
2021 |
| 2. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Н. В. Воронкова, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 344–348  ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, N. V. Voronkova, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power CW InGaAs/AlGaAs (1070 nm) lasers with a broadened lateral waveguide of a mesa-stripe structure”, Semiconductors, 55:4 (2021), 455–459 |
5
|
| 3. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 42–45 ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Output optical power dynamics of semiconductor lasers (1070 nm) with a few-mode lateral waveguide of mesa-stripe design at ultrahigh drive currents”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 368–371 |
1
|
| 4. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин, “Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа”, Квантовая электроника, 51:11 (2021), 987–991 [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Klimov, K. V. Bakhvalov, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, V. V. Andryushkin, N. A. Pikhtin, “Optical absorption in a waveguide based on an n-type AlGaAs heterostructure”, Quantum Electron., 51:11 (2021), 987–991  ] |
2
|
| 5. |
В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 909–911 [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911 ] |
1
|
| 6. |
Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 905–908 [N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908 ] |
3
|
|
2020 |
| 7. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 414–419 ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, N. A. Rudova, K. V. Bakhvalov, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Single-mode lasers (1050 nm) of mesa-stripe design based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide”, Semiconductors, 54:4 (2020), 489–494 |
5
|
| 8. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 408–413 |
|
2016 |
| 9. |
Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, Ю. К. Бобрецова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1414–1419 ; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, Yu. K. Bobretsova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Study of the pulse characteristics of semiconductor lasers with a broadened waveguide at low temperatures (110–120 K)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1396–1402 |
8
|
| 10. |
Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1247–1252 ; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, S. O. Slipchenko, E. A. Bechvay, V. A. Strelets, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1225–1230 |
7
|
| 11. |
З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 679–682 ; Z. N. Sokolova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 667–670 |
4
|
|
2015 |
| 12. |
Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015), 879–883 [D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Optimisation of cavity parameters for lasers based on AlGaInAsP/InP solid solutions (λ=1470 nm)”, Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883 ] |
2
|
|
2014 |
| 13. |
В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, К. В. Бахвалов, Я. В. Лубянский, М. Г. Растегаева, И. С. Тарасов, “Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков”, Квантовая электроника, 44:10 (2014), 907–911 [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, K. V. Bakhvalov, Ya. V. Lubyanskiy, M. G. Rastegaeva, I. S. Tarasov, “Spectral characteristics of multimode semiconductor lasers with a high-order surface diffraction grating”, Quantum Electron., 44:10 (2014), 907–911 ] |
7
|
|
Обратная связь: