Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Yakovlev, Yurii Pavlovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 88
Scientific articles: 88

Number of views:
This page:243
Abstract pages:4131
Full texts:1802
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person98949
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. V. A. Shutaev, V. A. Matveev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Shchelokov, Yu. P. Yakovlev, “Optical and structural properties of palladium nanolayers in hydrogen medium”, Optics and Spectroscopy, 129:9 (2021),  1183–1187  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 129:12 (2021), 1306–1310 4
2. V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, Yu. P. Yakovlev, “Current generation in Pd/InP structures in hydrogen medium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:12 (2021),  1236–1239  mathnet  elib 1
3. M. P. Mikhailova, A. P. Dmitriev, I. A. Andreev, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Monopolarity of hot charge carrier multiplication in A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ semiconductors at high electric field and noiseless avalanche photodiodes (a review)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  995–1010  mathnet  elib
4. E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:7 (2021),  607–613  mathnet; Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 1
2020
5. V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, Yu. P. Yakovlev, “Hydrogen influence on the optical transparency of palladium layers”, Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020),  603–606  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020), 596–599 8
6. M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, Yu. P. Yakovlev, P. S. Kop'ev, “Radiative recombination and impact ionization in semiconductor nanostructures (review)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1267–1288  mathnet  elib; Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547 2
7. E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:7 (2020),  677–683  mathnet  elib; Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802
8. V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, M. E. Kompan, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the impedance of Pd/oxide/InP structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:6 (2020),  547–551  mathnet  elib; Semiconductors, 54:6 (2020), 658–661 2
9. V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Long-wavelength leds in the atmospheric transparency window of 4.6 – 5.3 $\mu$m”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:2 (2020),  202–206  mathnet  elib; Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257 6
2019
10. V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, L. K. Vlasov, A. A. Pivovarova, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the electrical properties of Pd/InP structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1427–1430  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1389–1392 7
11. V. V. Romanov, I. A. Belykh, E. V. Ivanov, P. A. Alekseev, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Light–emitting diodes based on asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m) and CO ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) detection”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:6 (2019),  832–838  mathnet  elib; Semiconductors, 53:6 (2019), 822–827 6
12. M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Discovery of III–V semiconductors: physical properties and application”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:3 (2019),  291–308  mathnet  elib; Semiconductors, 53:3 (2019), 273–290 26
13. E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Effect of the hydrogen concentration on the Pd/$n$-InP Schottky diode photocurrent”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  246–248  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 234–236 7
14. M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:1 (2019),  50–54  mathnet  elib; Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 1
2018
15. E. A. Grebenshchikova, Kh. M. Salikhov, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Determining the hydrogen concentration from the photovoltage of Pd–oxide–InP MIS structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1183–1186  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1303–1306 6
16. E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:9 (2018),  1094–1099  mathnet  elib; Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 4
17. M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:8 (2018),  906–911  mathnet  elib; Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 1
2017
18. M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 87:2 (2017),  315–318  mathnet  elib; Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 3
19. M. A. Royz, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, D. S. Burenina, A. A. Pivovarova, A. M. Monakhov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1273–1277  mathnet  elib; Semiconductors, 51:9 (2017), 1224–1228
2016
20. E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1420–1424  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 3
21. A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. A. Shutaev, A. M. Ospennikov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:7 (2016),  946–951  mathnet  elib; Semiconductors, 50:7 (2016), 929–934 4
22. L. V. Danilov, A. A. Petukhov, M. P. Mikhailova, G. G. Zegrya, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Features of high-temperature electroluminescence in an LED $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:6 (2016),  794–800  mathnet  elib; Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784 3
1993
23. Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, E. V. Stepanov, Ya. Ya. Ponurovskii, “InAsSb/InAsSbP injection lasers for high-resolution spectroscopy”, Kvantovaya Elektronika, 20:9 (1993),  839–842  mathnet [Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729  isi] 6
1992
24. A. N. Baranov, S. Y. Belkin, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, “Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1971–1976  mathnet
25. A. N. Baranov, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “LENGTH-WAVE LASERS BASED ON INASSB-INASSBP FOR METHANE SPECTROSCOPY WHERE (LAMBDA=3.2-3.4 MU-M)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:22 (1992),  6–10  mathnet
26. I. A. Andreev, A. N. Baranov, M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, A. V. Pentsov, Y. P. Smorchkova, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “UNCOOLED PHOTODIODES BASED ON INASSBP AND GAINASSB FOR 3-5 MU-M SPECTRAL RANGE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:17 (1992),  50–53  mathnet
27. N. M. Kolchanova, A. A. Popov, Yu. P. Yakovlev, “LONG-WAVE EMISSION IN GAINASSB-GAALASSB-BASED HETEROLIGHT DIODES”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:17 (1992),  40–44  mathnet
28. A. N. Baranov, S. Y. Belkin, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, “GENERATION OF COHERENT EMISSION ON P-P-BOUNDARY IN DHS GAINASSB LASERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:17 (1992),  18–24  mathnet
1991
29. I. A. Andreev, M. P. Mikhailova, S. V. Mel'nikov, Y. P. Smorchkova, Yu. P. Yakovlev, “Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1429–1436  mathnet
30. A. A. Andaspaeva, A. N. Baranov, B. L. Gel'mont, B. E. Djurtanov, G. G. Zegrya, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, S. G. Yastrebov, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  394–401  mathnet
31. M. S. Bresler, O. B. Gusev, M. P. Mikhailova, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, I. N. Yassievich, “Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  298–306  mathnet
32. T. I. Voronina, B. E. Djurtanov, T. S. Lagunova, Yu. P. Yakovlev, “Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  283–286  mathnet
33. T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhailova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  276–282  mathnet
34. A. N. Baranov, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, “EFFECT OF INTERFERENCE RECOMBINATION ON THRESHOLD CHARACTERISTICS OF GAINASSB/GASB LASERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:17 (1991),  54–59  mathnet
35. A. Abragam, E. Gulitsius, T. N. Danilova, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, “EMISSION STABILIZATION UNDER THE GROWN INGAASSB-GASB HETEROLASE (LAMBDA=2-MU-M) OPERATION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:6 (1991),  56–60  mathnet
1990
36. A. A. Andaspaeva, A. N. Baranov, A. A. Guseinov, A. N. Imenkov, N. M. Kolchanova, Yu. P. Yakovlev, “Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1708–1714  mathnet
37. M. A. Afrailov, A. N. Baranov, A. P. Dmitriev, M. P. Mikhailova, Y. P. Smorchkova, I. N. Timchenko, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, I. N. Yassievich, “Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1397–1406  mathnet
38. A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. N. Dakhno, B. E. Djurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, Yu. P. Yakovlev, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1072–1078  mathnet
39. A. N. Titkov, V. N. Cheban, A. N. Baranov, A. A. Guseinov, Yu. P. Yakovlev, “Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GalnAsSb/GaSb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1056–1061  mathnet
40. A. N. Baranov, A. N. Dakhno, B. E. Djurtanov, T. S. Lagunova, M. A. Sipovskaya, Yu. P. Yakovlev, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  98–103  mathnet
41. A. N. Imenkov, O. P. Kapranchik, A. M. Litvak, A. A. Popov, N. A. Charykov, Yu. P. Yakovlev, “LONG-WAVE LIGHT DIODES BASED ON GAINASSB IN THE VICINITY OF IMMSCIBILITY DOMAIN WHERE LAMBDA=2,4-2,6 MU-M, T=300-K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:24 (1990),  19–24  mathnet
42. A. M. Grebenyuk, S. I. Krukovskii, A. M. Litvak, N. A. Charykov, Yu. P. Yakovlev, “FUSION-SOLID STATE PHASE-EQUILIBRIA UNDER THE LIQUID-PHASE EPITAXY SYNTHESIS OF A3B5 COMPOUNDS FROM INERT SOLVENTS (BASED ON PB-INAS-INSB AND BI-GA-GAAS SYSTEMS)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:23 (1990),  23–27  mathnet
43. A. N. Baranov, A. N. Imenkov, O. P. Kapranchik, V. V. Negreskul, A. G. Chernyavskii, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “LONG-WAVE LIGHT DIODES BASED ON INAS1-X-YSBXPY/INAS HETEROTRANSITIONS (WHERE LAMBDA=3.0-4 MU-M AT 300-K) WITH WIDE-BAND WINDOW”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:16 (1990),  42–47  mathnet
44. V. G. Avetisov, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, A. I. Nadezhdinskii, A. N. Khusnutdinov, Yu. P. Yakovlev, “CALCULATION OF THE WIDTH OF EMISSION-LINE OF LONG-WAVE GAINASSB INJECTION-LASERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:14 (1990),  66–70  mathnet
45. A. M. Litvak, K. D. Moiseev, T. Popova, N. A. Charykov, Yu. P. Yakovlev, “PREPARATION OF ALX-IN1-XASYSB1-Y/INAS SOLID-SOLUTIONS BY THE LPE METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:13 (1990),  41–45  mathnet
46. A. N. Baranov, A. A. Guseinov, A. M. Litvak, A. A. Popov, N. A. Charykov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “PREPARATION OF INX-GA1-X-ASY-SB1-Y SOLID-SOLUTIONS ISOPERIODIC TO CASB NEAR THE IMMISCIBILITY BOUNDARY”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:5 (1990),  33–38  mathnet
47. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, I. N. Timchenko, V. E. Shestnev, V. E. Umanskii, Yu. P. Yakovlev, “UNCOOLED PHOTODIODES BASED ON INAS/INASSBP FOR THE SPECTRAL RANGE OF 2-3,5 MU-M”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:4 (1990),  27–32  mathnet
1989
48. A. A. Andaspaeva, A. N. Baranov, E. A. Grebenshchikova, A. A. Guseinov, A. N. Imenkov, A. A. Rogachev, G. M. Filaretova, Yu. P. Yakovlev, “Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1373–1377  mathnet
49. A. N. Baranov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, I. N. Timchenko, Z. I. Chugueva, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  780–786  mathnet
50. A. Andaspaeva, A. N. Baranov, A. A. Guseinov, A. N. Imenkov, N. M. Kolchanova, E. A. Sidorenkova, Yu. P. Yakovlev, “HIGH-PERFORMANCE PHOTODIODES BASED ON GAINASSB FOR SPECTRAL RANGE OF 1.8-2.4 MU-M (T=300-K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:18 (1989),  71–75  mathnet
51. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, N. N. Marinskaya, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “LOW-NOISE CUMULATIVE PHOTODIODES WITH SEPARATED AREAS OF ABSORPTION AND MULTIPLICATION FOR THE 1.6-2.4-MU-M SPECTRUM RANGE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:17 (1989),  71–76  mathnet
52. A. A. Guseinov, B. E. Djurtanov, A. M. Litvak, M. A. Mirsagatov, N. A. Charykov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “HIGH-PRECISION METHOD OF COMPUTATION OF FUSION-SOLIDS PHASE-EQUILIBRIA IN A3B5 SYSTEMS (BASED ON IN-GA-AS-SB)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:12 (1989),  67–73  mathnet
53. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, S. G. Konnikov, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhailova, O. V. Salata, V. B. Umanskii, G. M. Filaretova, Yu. P. Yakovlev, “SUPERFAST-RESPONSE GAINASSB-BASED P-1-N PHOTODIODE FOR SPECTRAL RANGE OF 1,5-2,3 MU-M”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:7 (1989),  15–19  mathnet
54. N. S. Averkiev, A. N. Imenkov, A. M. Litvak, Yu. P. Yakovlev, “RELAXATION OF EMISSION AND NON-EQUILIBRIUM POPULATION IN QUANTUM-DIMENSIONAL SEMICONDUCTING LASERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:3 (1989),  79–83  mathnet
1988
55. A. N. Baranov, T. N. Danilova, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, O. G. Ershov, Yu. P. Yakovlev, “COHERENT EMISSION-SPECTRA OF GAINASSB BAND LASERS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:8 (1988),  1623–1626  mathnet
56. A. N. Baranov, E. A. Grebenshchikova, B. E. Djurtanov, T. N. Danilova, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, “LONG-WAVE LASERS BASED ON GAINASSB SOLID-SOLUTIONS NEAR THE IMMISCIBILITY BOUNDARY(LAMBDA-APPROXIMATELY-2.5 MU-M, T=300-K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:20 (1988),  1839–1843  mathnet
57. A. N. Baranov, T. N. Danilova, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, S. G. Konnikov, A. M. Litvak, V. E. Usmanskii, Yu. P. Yakovlev, “EMISSION GENERATION IN THE CHANNELED OVERGROWN LASER BASED ON GAINASSB/GASB IN CONTINUOUS REGIME (T=20-DEGREES-C, LAMBDA=2.0-MU-M)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:18 (1988),  1671–1675  mathnet
58. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “GAINASSB/GAALASSB-BASED AVALANCHE PHOTODIODE WITH SEPARATED ABSORPTION AND MULTIPLICATION AREAS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:11 (1988),  986–991  mathnet
59. A. Andaspaeva, A. N. Baranov, A. Guseinov, A. N. Imenkov, L. M. Litvak, G. M. Filaretova, Yu. P. Yakovlev, “HIGH-EFFICIENT PHOTODIODES BASED ON GAINASSB (WHERE LAMBDA=2.2 MU-M, ZETA=4-PERCENT, T=300-K)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:9 (1988),  845–849  mathnet
60. I. A. Andreev, A. N. Baranov, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhailova, A. A. Rogachev, G. M. Filaretova, Yu. P. Yakovlev, “CUMULATION OF PHOTOFLOW IN THE N-N GASB-GAINASSB ISOTOPIC STRUCTURE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:5 (1988),  389–393  mathnet
1987
61. T. S. Argunova, A. N. Baranov, B. E. Djurtanov, G. N. Mosina, I. L. Shul'pina, Yu. P. Yakovlev, “DEFECT FORMATION IN GAALSB/GASB STRUCTURES FOR PHOTODIODES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:2 (1987),  316–321  mathnet
62. A. N. Baranov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Change of concentration of natural acceptors in $Ga\,Sb$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:18 (1987),  1103–1108  mathnet
63. A. N. Baranov, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, A. M. Litvak, Yu. P. Yakovlev, “Effect of a resonator length on electroluminescent characteristics of $Ga\,In\,As\,Sb$-based lasers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:9 (1987),  517–523  mathnet
64. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “Avalanche multiplication in photodiode structures, based on $Ga\,In\,As\,Sb$ solid-solutions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:8 (1987),  481–485  mathnet
65. A. N. Baranov, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, I. N. Timchenko, Yu. P. Yakovlev, “Manifestation of self-correlated quantum-dimensional potential holes in electroluminescent properties of $Ga\,In\,As\,Sb$ based lasers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:8 (1987),  459–464  mathnet
66. N. S. Averkiev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, A. A. Rogachev, Yu. P. Yakovlev, “Polarization of emission in quantum dimensional on one heterotransition”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:6 (1987),  332–337  mathnet
1986
67. I. Ya. Karlik, D. N. Mirlin, V. F. Sapega, Yu. P. Yakovlev, “The photoluminescence spectrum and polarization in indirect gap $\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{Al}_{x}\mathrm{As}$ semiconductor crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 28:6 (1986),  1869–1874  mathnet
68. A. N. Baranov, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, A. A. Rogachev, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Generation of Coherent Radiation in Quantum-Dimensional Structure on the Single Heterojunction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2217–2221  mathnet
69. I. A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, V. G. Danl'chenko, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$ solid-solutions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:21 (1986),  1311–1315  mathnet
70. T. N. Danilova, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, “Expansion of spectral photosensitivity in variable R-P-structures by the over-emission effect”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:20 (1986),  1241–1245  mathnet
71. A. N. Baranov, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, A. A. Rogachev, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Quantum-dimensional laser with single heterojunction”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:11 (1986),  664–668  mathnet
72. A. N. Baranov, B. E. Djurtanov, A. N. Imenkov, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Injection ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) heterolaser with $2^x$-channel wave-guide-(DHS 2KV $\lambda=2$-mu-m), operating at room-temperature”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:9 (1986),  557–561  mathnet
1985
73. A. N. Baranov, T. I. Voronina, N. S. Zimogorova, L. M. Kanskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photoluminescence of Gallium-Antimonide Epitaxial Layers Grown from the Melts Enriched by Antimony”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1676–1679  mathnet
74. I. A. Andreev, A. N. Baranov, M. Z. Zhingarev, V. I. Korol'kov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “Dark Currents in GaAlSb(As) Diode Structures of «Resonant» Composition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1605–1611  mathnet
75. V. N. Bessolov, E. S. Dobrynina, M. V. Lebedev, V. I. Petrov, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Luminescence of (GaAl)P Layers Elastically and Plastically Deformed in Heteroepitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1078–1080  mathnet
76. A. N. Baranov, T. N. Danilova, A. N. Imenkov, B. V. Tsarenkov, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Coordinate Dependence of the Difference between the Coefficients of Collision Ionization of Holes and Electrons in a Variband $p{-}n$ Structure”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  502–506  mathnet
77. G. T. Aitieva, V. N. Bessolov, S. E. Klimenko, V. E. Korsukov, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Development of $(Ga\,Al)As$ superfine layers by liquid epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:8 (1985),  465–469  mathnet
78. N. T. Bagraev, A. N. Baranov, T. I. Voronina, Yu. N. Tolparov, Yu. P. Yakovlev, “Suppression of natural acceptors in $Ga\,Sb$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:2 (1985),  117–121  mathnet
1984
79. A. N. Baranov, N. A. Bert, S. G. Konnikov, V. I. Litmanovich, T. S. Rogunova, Yu. P. Yakovlev, “NON-HOMOGENEOUS MULTIPLICATION IN CASCADE PHOTODIODES WITH THE INCONGRUITY OF LATTICE PERIODS ON THE HETEROBOUNDARY”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:22 (1984),  1360–1364  mathnet
80. V. N. Bessolov, S. G. Konnikov, M. V. Lebedev, V. E. Umanskii, Yu. P. Yakovlev, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:3 (1984),  149–153  mathnet
1983
81. Y. Y. Abdurakhmanov, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “STUDY OF THE CAPILLARY EFFECT IN THE GA-AL-AS/GAAS SYSTEM”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:11 (1983),  2224–2226  mathnet
82. V. N. Bessolov, S. G. Konnikov, V. E. Umanskii, Yu. P. Yakovlev, “DISTINCTION OF THERMAL-EXPANSION COEFFICIENTS IN GA1-XALXP-GAP HETEROSTRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:2 (1983),  411–412  mathnet
83. V. N. Bessolov, A. N. Imenkov, S. G. Konnikov, E. A. Posse, V. E. Umanskii, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2173–2176  mathnet
84. A. N. Baranov, T. N. Danilova, A. N. Imenkov, B. V. Tsarenkov, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  753–755  mathnet
85. Y. Y. Abdurakhmanov, V. N. Bessolov, A. N. Imenkov, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  125–128  mathnet
86. A. N. Baranov, S. G. Konnikov, T. E. Popova, Yu. P. Yakovlev, “Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:11 (1983),  645–648  mathnet
1966
87. Yu. P. Yakovlev, “Исследование диатермичности твердых материалов при высоких температурах излучателя”, TVT, 4:6 (1966),  882–883  mathnet
1963
88. O. V. Lozhkin, N. A. Perfilov, Yu. P. Yakovlev, “Some characteristic features in the formation of $\mathrm{Li}_3^8$ when 660 Mev protons interact with $\mathrm{C}_6^{12}$ nuclei”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 151:4 (1963),  826–828  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024