Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Mil'vidskii, Mikhail Grigor'evich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 39
Scientific articles: 39

Number of views:
This page:99
Abstract pages:3049
Full texts:1793

https://www.mathnet.ru/eng/person93754
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
1991
1. E. V. Soloveva, M. G. Mil'vidskii, A. I. Belogorokhov, V. I. Vinogradova, D. T. Gogaladze, L. M. Dolginov, N. V. Malkova, V. M. Novikova, A. N. Osipova, “Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  965–969  mathnet
2. D. T. Gogoladze, L. M. Dolginov, N. V. Malkova, M. G. Mil'vidskii, V. M. Novikova, E. V. Soloveva, G. V. Shepekina, “Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As : Sb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  475–478  mathnet
3. E. V. Soloveva, D. T. Gogaladze, A. N. Belogorokhov, A. M. Dolginov, M. G. Mil'vidskii, “CHARACTERISTICS OF PHONON-SPECTRA OF INXGA1-XAS EPITAXIAL LAYERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:7 (1991),  21–24  mathnet
1990
4. T. A. Lagvilava, M. G. Mil'vidskii, E. V. Soloveva, “Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1367–1370  mathnet
5. M. A. Ilin, P. Y. Karasev, M. G. Mil'vidskii, N. G. Mikhailova, A. N. Pshenichnaya, “Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990),  800–804  mathnet
1989
6. I. A. Kovalchuk, A. V. Markov, M. V. Mezhennyi, M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, “FORMATION OF DISLOCATION-INDUCED HETEROGENEITY OF COMPOSITION OF GALLIUM-ARSENIDE CRYSTALS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:2 (1989),  106–110  mathnet
7. V. I. Vinogradova, D. T. Gogaladze, A. M. Dolginov, N. V. Malkova, M. G. Mil'vidskii, E. V. Soloveva, “Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1177–1181  mathnet
8. Yu. F. Birulin, T. A. Lagvilava, M. G. Mil'vidskii, V. A. Pisarevskaya, E. V. Soloveva, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1070–1075  mathnet
9. A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, T. A. Nuller, A. A. Shlenskii, T. G. Yugova, “Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  456–460  mathnet
1988
10. A. V. Kartavykh, E. S. Yurova, M. G. Mil'vidskii, S. P. Grishina, I. A. Kovalchuk, “Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  2035–2038  mathnet
11. A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, E. V. Popova, A. A. Shlenskii, “Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1792–1795  mathnet
12. A. V. Kartavykh, S. P. Grishina, M. G. Mil'vidskii, N. S. Rytova, I. V. Stepantsova, E. S. Yurova, “Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1004–1010  mathnet
13. Yu. M. Babitskii, N. I. Gorbacheva, P. M. Grinshtein, M. A. Ilin, V. P. Kuznetsov, M. G. Mil'vidskii, B. M. Turovsky, “Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  307–312  mathnet
1986
14. S. Yu. Karpov, M. G. Mil'vidskii, S. A. Nikishin, E. L. Portnoĭ, “LIQUID EPITAXY, CONTROLLED BY TEMPERATURE AND CURRENT CHANGES (LECTCC)”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:2 (1986),  353–360  mathnet
15. L. V. Muzrukhin, M. G. Mil'vidskii, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, N. I. Gorbacheva, “Broadening of the Bands of Hydrogen-Like Center Absorption in Silicon with Isovalent Impurities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1647–1653  mathnet
16. A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, E. V. Popova, A. A. Shlenskii, “Effect of Thermal Treatment on Luminescent anf Electro physical Parameters of Near-to-SurfaceLayers of Gallium-Arsenide Monocrystalline Plates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1588–1593  mathnet
17. A. V. Markov, M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, “On the Role of Dislocations in Formation of the Properties of Semi-Insulating GaAs Single Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  634–640  mathnet
18. V. E. Kustov, M. G. Mil'vidskii, Yu. G. Semenov, B. M. Turovsky, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Deformation Charges of Isovalent Impurities in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  270–274  mathnet
1985
19. Yu. M. Babitskii, P. M. Grinshtein, M. A. Ilin, V. P. Kuznetsov, M. G. Mil'vidskii, “On the Behaviour of Oxygen in Silicon Doped by Isovalent Impurities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1982–1985  mathnet
20. M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, V. Ya. Reznik, A. N. Shershakov, “Determination of Recombination Activity and Depth of Occurence of Point Defects in Semiconductor Crystals by the Method of Induced Current in a Scanning Electron Microscope”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  38–43  mathnet
1984
21. A. G. Belov, A. I. Belogorokhov, A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, G. M. Zinger, M. A. Il'in, P. Yu. Karasev, M. G. Mil'vidskii, D. A. Rzaev, A. I. Ryskin, “Optical properties of $\mathrm{Ga}_{x}\mathrm{In}_{1-x}\mathrm{As}_{y}\mathrm{Sb}_{1-y}$”, Fizika Tverdogo Tela, 26:1 (1984),  145–150  mathnet
22. V. P. Avdeeva, V. V. Bezotosnyi, M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, N. V. Mal'kova, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “LOW-THRESHOLD INJECTION-LASERS BASED ON THICK GAINPAS/INP (1.2-1.6 MKM) HETEROSTRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:3 (1984),  551–557  mathnet
23. M. B. Kagan, T. L. Lubashevskaya, M. G. Mil'vidskii, I. I. Nalivayko, V. M. Timashkov, N. P. Fatyushina, “EFFECT OF ALXGA1-XAS-GAAS HETEROSTRUCTURE GROWTH-CONDITIONS IN THE MOC-ASH3-H2 SYSTEM ON PARAMETERS OF SOLAR ELEMENTS (SE)”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:1 (1984),  187–189  mathnet
24. E. V. Soloveva, G. V. Lazareva, B. M. Leiferov, A. G. Lototskii, M. G. Mil'vidskii, N. S. Rytova, E. A. Tvirova, “Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную примесь олова”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1573–1576  mathnet
25. Yu. M. Babitskii, N. I. Gorbacheva, P. M. Grinshtein, M. A. Ilin, M. G. Mil'vidskii, B. M. Turovsky, “Генерация термодоноров в кремнии, легированном германием”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1309–1311  mathnet
26. A. V. Markov, S. P. Grishina, M. G. Mil'vidskii, S. S. Shifrin, “Complex Formation and Thermal Stability of Electrophysical Properties of GaAs Semi-Insulating Single Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  465–470  mathnet
1983
27. E. V. Soloveva, M. G. Mil'vidskii, “Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  2022–2024  mathnet
28. Yu. F. Birulin, N. V. Ganinia, M. G. Mil'vidskii, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  108–114  mathnet
29. D. G. Andrianov, V. V. Karataev, M. G. Mil'vidskii, Yu. B. Muravlev, “Исследование собственных точечных дефектов структуры в монокристаллах арсенида галлия методом ядерного магнитного резонанса”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  93–96  mathnet
1980
30. V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Kvantovaya Elektronika, 7:9 (1980),  1990–1992  mathnet [Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148  isi] 2
1978
31. L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Kvantovaya Elektronika, 5:11 (1978),  2488–2489  mathnet [Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405]
32. L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Kvantovaya Elektronika, 5:3 (1978),  703–704  mathnet [Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] 19
33. L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, A. N. Lapshin, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, M. G. Mil'vidskii, “Efficient room-temperature stimulated emission from a Ga<sub><i>x</i></sub>ln<sub>1–<i>x</i></sub>As<sub><i>y</i></sub>Sb<sub>1–<i>y</i></sub> semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ”, Kvantovaya Elektronika, 5:1 (1978),  126–128  mathnet [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 66–67] 2
1976
34. L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, “Multicomponent semiconductor solid solutions and their laser applications (review)”, Kvantovaya Elektronika, 3:7 (1976),  1381–1393  mathnet [Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 747–753] 11
35. L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub><i>x</i></sub>ln<sub><i>1–x</i></sub>As<sub><i>y</i></sub>Sb<sub><i>1–y</i></sub>”, Kvantovaya Elektronika, 3:4 (1976),  932–934  mathnet [Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] 5
36. L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Kvantovaya Elektronika, 3:2 (1976),  465–466  mathnet [Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] 11
1972
37. M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, B. A. Sakharov, S. S. Shifrin, “The formation of dislocations in perfect single crystals under the effect of stresses”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 207:5 (1972),  1109–1111  mathnet
1969
38. V. B. Osvenskii, L. P. Kholodniy, M. G. Mil'vidskii, “The plastic deformation anisotropy of single $\mathrm{GaAs}$ crystals, as influenced by alloying additives”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 184:5 (1969),  1084–1087  mathnet
1963
39. V. I. Fistul, M. G. Mil'vidskii, È. M. Omel'yanovskii, S. P. Grishina, “Impurities as they occur in strongly alloyed single $n$-type crystals of germanium and silicon”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 149:5 (1963),  1119–1122  mathnet
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024