|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1991 |
| 1. |
E. V. Soloveva, M. G. Mil'vidskii, A. I. Belogorokhov, V. I. Vinogradova, D. T. Gogaladze, L. M. Dolginov, N. V. Malkova, V. M. Novikova, A. N. Osipova, “Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства
эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991), 965–969  |
| 2. |
D. T. Gogoladze, L. M. Dolginov, N. V. Malkova, M. G. Mil'vidskii, V. M. Novikova, E. V. Soloveva, G. V. Shepekina, “Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств
эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As : Sb”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 475–478 |
| 3. |
E. V. Soloveva, D. T. Gogaladze, A. N. Belogorokhov, A. M. Dolginov, M. G. Mil'vidskii, “CHARACTERISTICS OF PHONON-SPECTRA OF INXGA1-XAS EPITAXIAL LAYERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:7 (1991), 21–24 |
|
1990 |
| 4. |
T. A. Lagvilava, M. G. Mil'vidskii, E. V. Soloveva, “Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990), 1367–1370 |
| 5. |
M. A. Ilin, P. Y. Karasev, M. G. Mil'vidskii, N. G. Mikhailova, A. N. Pshenichnaya, “Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур
AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990), 800–804 |
|
1989 |
| 6. |
I. A. Kovalchuk, A. V. Markov, M. V. Mezhennyi, M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, “FORMATION OF DISLOCATION-INDUCED HETEROGENEITY OF COMPOSITION OF
GALLIUM-ARSENIDE CRYSTALS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:2 (1989), 106–110 |
| 7. |
V. I. Vinogradova, D. T. Gogaladze, A. M. Dolginov, N. V. Malkova, M. G. Mil'vidskii, E. V. Soloveva, “Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989), 1177–1181 |
| 8. |
Yu. F. Birulin, T. A. Lagvilava, M. G. Mil'vidskii, V. A. Pisarevskaya, E. V. Soloveva, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989), 1070–1075 |
| 9. |
A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, T. A. Nuller, A. A. Shlenskii, T. G. Yugova, “Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных
слоев GaAs, легированных Sn или Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989), 456–460 |
|
1988 |
| 10. |
A. V. Kartavykh, E. S. Yurova, M. G. Mil'vidskii, S. P. Grishina, I. A. Kovalchuk, “Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs
при термообработках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988), 2035–2038 |
| 11. |
A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, E. V. Popova, A. A. Shlenskii, “Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев
в эпитаксиальных структурах арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1792–1795 |
| 12. |
A. V. Kartavykh, S. P. Grishina, M. G. Mil'vidskii, N. S. Rytova, I. V. Stepantsova, E. S. Yurova, “Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах
арсенида галлия, полученных методом Чохральского”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1004–1010 |
| 13. |
Yu. M. Babitskii, N. I. Gorbacheva, P. M. Grinshtein, M. A. Ilin, V. P. Kuznetsov, M. G. Mil'vidskii, B. M. Turovsky, “Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии
с изовалентными примесями”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 307–312 |
|
1986 |
| 14. |
S. Yu. Karpov, M. G. Mil'vidskii, S. A. Nikishin, E. L. Portnoĭ, “LIQUID EPITAXY, CONTROLLED BY TEMPERATURE AND CURRENT CHANGES (LECTCC)”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:2 (1986), 353–360 |
| 15. |
L. V. Muzrukhin, M. G. Mil'vidskii, L. I. Khirunenko, V. I. Shakhovtsov, V. K. Shinkarenko, N. I. Gorbacheva, “Broadening of the Bands of Hydrogen-Like Center Absorption in Silicon with Isovalent Impurities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1647–1653 |
| 16. |
A. S. Bruk, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, E. V. Popova, A. A. Shlenskii, “Effect of Thermal Treatment on Luminescent anf Electro physical Parameters of Near-to-SurfaceLayers of Gallium-Arsenide Monocrystalline Plates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986), 1588–1593 |
| 17. |
A. V. Markov, M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, “On the Role of Dislocations in Formation of the Properties of Semi-Insulating GaAs Single Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 634–640 |
| 18. |
V. E. Kustov, M. G. Mil'vidskii, Yu. G. Semenov, B. M. Turovsky, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, “Deformation Charges of Isovalent Impurities in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 270–274 |
|
1985 |
| 19. |
Yu. M. Babitskii, P. M. Grinshtein, M. A. Ilin, V. P. Kuznetsov, M. G. Mil'vidskii, “On the Behaviour
of Oxygen in Silicon Doped by Isovalent
Impurities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 1982–1985 |
| 20. |
M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, V. Ya. Reznik, A. N. Shershakov, “Determination of Recombination Activity and Depth of Occurence of Point Defects in Semiconductor Crystals by the Method of Induced
Current in a Scanning Electron Microscope”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 38–43 |
|
1984 |
| 21. |
A. G. Belov, A. I. Belogorokhov, A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, G. M. Zinger, M. A. Il'in, P. Yu. Karasev, M. G. Mil'vidskii, D. A. Rzaev, A. I. Ryskin, “Optical properties of $\mathrm{Ga}_{x}\mathrm{In}_{1-x}\mathrm{As}_{y}\mathrm{Sb}_{1-y}$”, Fizika Tverdogo Tela, 26:1 (1984), 145–150 |
| 22. |
V. P. Avdeeva, V. V. Bezotosnyi, M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, N. V. Mal'kova, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “LOW-THRESHOLD INJECTION-LASERS BASED ON THICK GAINPAS/INP (1.2-1.6 MKM)
HETEROSTRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:3 (1984), 551–557 |
| 23. |
M. B. Kagan, T. L. Lubashevskaya, M. G. Mil'vidskii, I. I. Nalivayko, V. M. Timashkov, N. P. Fatyushina, “EFFECT OF ALXGA1-XAS-GAAS HETEROSTRUCTURE GROWTH-CONDITIONS IN THE
MOC-ASH3-H2 SYSTEM ON PARAMETERS OF SOLAR ELEMENTS (SE)”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:1 (1984), 187–189 |
| 24. |
E. V. Soloveva, G. V. Lazareva, B. M. Leiferov, A. G. Lototskii, M. G. Mil'vidskii, N. S. Rytova, E. A. Tvirova, “Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную
примесь олова”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1573–1576 |
| 25. |
Yu. M. Babitskii, N. I. Gorbacheva, P. M. Grinshtein, M. A. Ilin, M. G. Mil'vidskii, B. M. Turovsky, “Генерация термодоноров в кремнии, легированном германием”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984), 1309–1311 |
| 26. |
A. V. Markov, S. P. Grishina, M. G. Mil'vidskii, S. S. Shifrin, “Complex Formation and Thermal Stability of Electrophysical Properties of GaAs Semi-Insulating Single Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 465–470 |
|
1983 |
| 27. |
E. V. Soloveva, M. G. Mil'vidskii, “Особенности дефектообразования в полупроводниках
при изовалентном легировании”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 2022–2024 |
| 28. |
Yu. F. Birulin, N. V. Ganinia, M. G. Mil'vidskii, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Фотолюминесценция твердых растворов
GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 108–114 |
| 29. |
D. G. Andrianov, V. V. Karataev, M. G. Mil'vidskii, Yu. B. Muravlev, “Исследование собственных точечных дефектов структуры в монокристаллах
арсенида галлия методом ядерного магнитного резонанса”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 93–96 |
|
1980 |
| 30. |
V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Kvantovaya Elektronika, 7:9 (1980), 1990–1992 [Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148  ] |
2
|
|
1978 |
| 31. |
L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Kvantovaya Elektronika, 5:11 (1978), 2488–2489 [Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405] |
| 32. |
L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Kvantovaya Elektronika, 5:3 (1978), 703–704 [Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] |
19
|
| 33. |
L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, A. N. Lapshin, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, M. G. Mil'vidskii, “Efficient room-temperature stimulated emission from a Ga<sub><i>x</i></sub>ln<sub>1–<i>x</i></sub>As<sub><i>y</i></sub>Sb<sub>1–<i>y</i></sub> semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ”, Kvantovaya Elektronika, 5:1 (1978), 126–128 [Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 66–67] |
2
|
|
1976 |
| 34. |
L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, “Multicomponent semiconductor solid solutions and their laser applications (review)”, Kvantovaya Elektronika, 3:7 (1976), 1381–1393 [Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 747–753] |
11
|
| 35. |
L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub><i>x</i></sub>ln<sub><i>1–x</i></sub>As<sub><i>y</i></sub>Sb<sub><i>1–y</i></sub>”, Kvantovaya Elektronika, 3:4 (1976), 932–934 [Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] |
5
|
| 36. |
L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Kvantovaya Elektronika, 3:2 (1976), 465–466 [Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] |
11
|
|
1972 |
| 37. |
M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, B. A. Sakharov, S. S. Shifrin, “The formation of dislocations in perfect single crystals under the effect of stresses”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 207:5 (1972), 1109–1111 |
|
1969 |
| 38. |
V. B. Osvenskii, L. P. Kholodniy, M. G. Mil'vidskii, “The plastic deformation anisotropy of single $\mathrm{GaAs}$ crystals, as influenced by alloying additives”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 184:5 (1969), 1084–1087 |
|
1963 |
| 39. |
V. I. Fistul, M. G. Mil'vidskii, È. M. Omel'yanovskii, S. P. Grishina, “Impurities as they occur in strongly alloyed single $n$-type crystals of germanium and silicon”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 149:5 (1963), 1119–1122 |
| |
|
|
Contact us: