Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Shek, Elena Il'inichna
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 15
Scientific articles: 15

Number of views:
This page:108
Abstract pages:662
Full texts:315

https://www.mathnet.ru/eng/person164836
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=28875

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, E. I. Shek, “Effect of additional implantation with oxygen ions on the dislocation-related luminescence in silicon-containing oxygen precipitates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  928–931  mathnet  elib; Semiconductors, 55:12 (2021), 891–894 5
2020
2. A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, K. V. Karabeshkin, E. I. Shek, N. A. Sobolev, “Silicon light-emitting diodes with luminescence from (113) defects”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:6 (2020),  580–584  mathnet  elib; Semiconductors, 54:6 (2020), 687–690 5
2019
3. N. A. Sobolev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, A. D. Bondarev, K. V. Karabeshkin, E. V. Fomin, A. E. Kalyadin, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, “Defect formation under nitrogen-ion implantation and subsequent annealing in GaAs structures with an uncovered surface and a surface covered with an AlN film”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:4 (2019),  437–440  mathnet  elib; Semiconductors, 53:4 (2019), 415–418 1
4. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. O. Parshin, N. S. Melesov, S. G. Simakin, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with germanium ions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  165–168  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 156–159 2
5. N. A. Sobolev, O. V. Aleksandrov, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, A. E. Kalyadin, E. O. Parshin, N. S. Melesov, “Influence of annealing temperature on electrically active centers in silicon implanted with germanium ions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  161–164  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 153–155 1
2018
6. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, R. N. Kyutt, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, V. I. Vdovin, “Defect structure of GaAs layers implanted with nitrogen ions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:18 (2018),  24–30  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 817–819 2
7. N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:13 (2018),  44–50  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 3
2017
8. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, “Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1182–1184  mathnet  elib; Semiconductors, 51:9 (2017), 1133–1135 3
9. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with fluorine ions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:1 (2017),  14–20  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 50–52 4
2016
10. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, K. V. Karabeshkin, “Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions”, Fizika Tverdogo Tela, 58:12 (2016),  2411–2414  mathnet  elib; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502 4
11. N. A. Sobolev, K. F. Shtel'makh, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, D. Yang, “Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated $p$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  254–258  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 252–256 2
12. A. E. Kalyadin, N. A. Sobolev, A. M. Strel'chuk, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, “Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  250–253  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 249–251 2
13. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, M. V. Konovalov, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  241–244  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 240–243 11
1992
14. N. A. Sobolev, A. I. Kurbakov, R. N. Kyutt, E. E. Rubinova, A. E. Sokolov, E. I. Shek, “Investigation of silicon by diffuse gamma-ray and X-ray scattering”, Fizika Tverdogo Tela, 34:8 (1992),  2548–2554  mathnet
1985
15. N. A. Sobolev, E. I. Shek, S. I. Dudavskiy, À. À. Kravtsov, “ELIMINATION OF SWIRL-DEFECTS DURING THERMAL-TREATMENT OF CRUCIBLELESS SILICON PLATES IN CHLORO-CONTAINING ATMOSPHERE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:7 (1985),  1457–1459  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024