|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1981 |
1. |
В. Л. Величанский, А. С. Зибров, В. И. Молочев, В. В. Никитин, В. А. Саутенков, Д. А. Тюриков, Г. Г. Харисов, “Асимметрия некоторых характеристик перестраиваемых инжекционных лазеров с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1925–1934 [V. L. Velichansky, A. S. Zibrov, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, V. A. Sautenkov, D. A. Tyurikov, G. G. Kharisov, “Asymmetry of some characteristics of tunable injection lasers with an external resonator”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1165–1171 ] |
3
|
|
1980 |
2. |
С. П. Калашников, В. И. Молочев, В. А. Пилипович, Ю. М. Попов, Г. И. Семенов, С. Г. Шматин, “Запись и считывание информации излучением инжекционных лазеров для голографических запоминающих устройств”, Квантовая электроника, 7:8 (1980), 1826–1827 [S. P. Kalashnikov, V. I. Molochev, V. A. Pilipovich, Yu. M. Popov, G. I. Semenov, S. G. Shmatin, “Use of injection laser radiation for recording of data in and readout from holographic memories”, Sov J Quantum Electron, 10:8 (1980), 1054–1055 ] |
1
|
3. |
Ю. М. Миронов, В. И. Молочев, Г. Т. Пак, А. С. Семенов, А. Б. Сергеев, И. В. Яшумов, “Методы определения тепловых характеристик инжекционных полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 155–169 [Yu. M. Mironov, V. I. Molochev, G. T. Pak, A. S. Semenov, A. B. Sergeev, I. V. Yashumov, “Methods for determination of thermal characteristics of semiconductor injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 87–94 ] |
|
1979 |
4. |
А. И. Золотарев, В. А. Зубов, А. Д. Ковалевский, А. В. Крайский, В. И. Молочев, Г. И. Семенов, Т. Т. Султанов, “Инжекционные полупроводниковые лазеры в системах корреляционной обработки информации”, Квантовая электроника, 6:11 (1979), 2460–2463 [A. I. Zolotarev, V. A. Zubov, A. D. Kovalevskiǐ, A. V. Kraiski, V. I. Molochev, G. I. Semenov, T. T. Sultanov, “Semiconductor injection lasers in correlative data processing systems”, Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1454–1456] |
5. |
В. А. Караванский, В. И. Молочев, В. Н. Морозов, В. В. Пономарь, Ю. М. Попов, В. Л. Смирнов, “Исследование условий согласования полупроводниковых излучателей с тонкопленочными планарными и полосковыми волноводами”, Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2262–2264 [V. A. Karavanskiǐ, V. I. Molochev, V. N. Morozov, V. V. Ponomar', Yu. M. Popov, V. L. Smirnov, “Investigation of the conditions for matching of semiconductor sources to thin-film planar and stripe waveguides”, Sov J Quantum Electron, 9:10 (1979), 1330–1332] |
6. |
H. Г. Куприянова, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Петров, Г. И. Семенов, “Исследование поляризации излучения одноканальных инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1789–1792 [N. G. Kupriyanova, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, A. I. Petrov, G. I. Semenov, “Investigation of the polarization of radiation from single-channel injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 9:8 (1979), 1055–1056] |
1
|
7. |
В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. И. Петров, А. С. Семенов, “Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации”, Квантовая электроника, 6:4 (1979), 797–802 [V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. I. Petrov, A. S. Semenov, “Effect of the active region width in GaAs semiconductor injection lasers on single-frequency stimulated emission conditions”, Sov J Quantum Electron, 9:4 (1979), 472–475] |
2
|
|
1978 |
8. |
В. И. Анненков, Ю. М. Миронов, В. И. Молочев, А. С. Семенов, “Когерентность излучения одночастотных инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1384–1386 [V. I. Annenkov, Yu. M. Mironov, V. I. Molochev, A. S. Semenov, “Coherence of the radiation emitted from single-frequency injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 8:6 (1978), 795–796] |
2
|
9. |
В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 211–214 [V. S. Kargapol'tsev, E. P. Malygin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, O. N. Talenskiǐ, “Radiative characteristics of a single-channel GaAs injection laser”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 130–132] |
|
1977 |
10. |
Ю. А. Быковский, Ю. П. Захаров, А. В. Маковкин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, В. Л. Смирнов, О. Н. Таленский, А. В. Шмалько, “Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур”, Квантовая электроника, 4:9 (1977), 2007–2009 [Yu. A. Bykovskiǐ, Yu. P. Zakharov, A. V. Makovkin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, V. L. Smirnov, O. N. Talenskiǐ, A. V. Shmal'ko, “Integrated-optics functional elements based on epitaxial GaAlAs-GaAs heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 7:9 (1977), 1144–1145] |
1
|
11. |
Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1815–1816 [N. G. Basov, V. S. Kargapol'tsev, E. P. Malygin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, O. N. Talenskiǐ, “Single-frequency GaAs injection laser”, Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1034] |
|
1976 |
12. |
Ю. М. Миронов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, “Исследование ширины линии излучения инжекционного лазера в сильном и слабом полях”, Квантовая электроника, 3:1 (1976), 222–223 [Yu. M. Mironov, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, “Investigation of the emission line width of an injection laser in strong and weak fields”, Sov J Quantum Electron, 6:1 (1976), 123–124] |
4
|
|
1974 |
13. |
Ю. А. Быковский, Н. Н. Евтихиев, В. А. Елхов, А. И. Ларкин, В. И. Молочев, В. В. Никитин, “Моноимпульсная голография на инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 217–219 [Yu. A. Bykovskii, N. N. Evtikhiev, V. A. Elkhov, A. I. Larkin, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, “Single-pulse holography employing injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 136] |
1
|
14. |
Л. Н. Курбатов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Шарин, “Временные характеристики в лазерах с двойным гетеропереходом”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 191–193 [L. N. Kurbatov, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, A. I. Sharin, “Time characteristics of double-heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 116–117] |
|
1973 |
15. |
Н. П. Иванов, А. И. Красильников, В. Ф. Литвинов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, “Одноканальный инжекционный лазер с областью свечения в несколько микрон”, Квантовая электроника, 1973, № 6(18), 117–119 [N. P. Ivanov, A. I. Krasil'nikov, V. F. Litvinov, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, “Single-channel injection laser with an emitting region several microns wide”, Sov J Quantum Electron, 3:6 (1974), 525–526] |
|
1972 |
16. |
В. Ф. Литвинов, В. И. Молочев, В. Н. Морозов, В. В. Никитин, А. С. Семенов, Н. П. Хатырев, “Прохождение импульсов света через двухкомпонентную полупроводниковую среду”, Квантовая электроника, 1972, № 7, 89–92 [V. F. Litvinov, V. I. Molochev, V. N. Morozov, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, N. P. Khatyrev, “Transmission of light pulses by a two-component semiconductor medium”, Sov J Quantum Electron, 2:1 (1972), 83–86] |
1
|
|
1971 |
17. |
Л. Н. Курбатов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Шарин, “Временные характеристики инжекционных лазеров на основе гетероструктур”, Квантовая электроника, 1971, № 6, 110–112 [L. N. Kurbatov, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, A. I. Sharin, “Time characteristics of heterojunction injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 1:6 (1972), 655–657] |
2
|
18. |
В. И. Молочев, В. В. Никитин, В. Д. Самойлов, “Оптическое взаимодействие инжекционных лазеров при неоднородном возбуждении”, Квантовая электроника, 1971, № 2, 25–31 [V. I. Molochev, V. V. Nikitin, V. D. Samoilov, “Optical interaction of inhomogeneously excited injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 1:2 (1971), 135–139] |
|