|
Квантовая электроника, 1971, номер 6, страницы 110–112
(Mi qe3310)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Временные характеристики инжекционных лазеров на основе гетероструктур
Л. Н. Курбатов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Шарин
Аннотация:
Экспериментально исследованы временные характеристики инжекционных полупроводниковых гетеролазеров на основе GaAs–GaxAl1–xAs в широком интервале температур и токов инжекции. Приводятся зависимости времени задержки когерентного излучения и переходных процессов от тока инжекции и температуры диодов.
Поступила в редакцию: 27.05.1971
Образец цитирования:
Л. Н. Курбатов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Шарин, “Временные характеристики инжекционных лазеров на основе гетероструктур”, Квантовая электроника, 6 (1971), 110–112 [Sov J Quantum Electron, 1:6 (1972), 655–657]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3310 https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i6/p110
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 105 | PDF полного текста: | 59 |
|