Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации

Приведены результаты экспериментальных исследований излучательных характеристик одноканальных инжекционных полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме (77 K) при различных ширинах активной области (1,5–11 мкм). Показано, что, применяя двухстороннее горизонтальное ограничение активной области слоями твердого раствора Al_xGa_1–xAs, легированных Ge, удается создать структуру с хорошими волноводными свойствами и малыми токами утечки. Изучены пороговые, спектральные, ватт-амперные характеристики излучения и распределения поля в ближней и дальней зонах. Исследование большой серии одноканальных лазеров показало, что они работают в режиме одной продольной моды в широком диапазоне изменения тока инжекции. Максимальная мощность излучения в одночастотном режиме достигала более 100 мВт (в обе стороны). Установлено, что срыв одночастотной генерации и переход к многомодовому режиму наступает при плотности мощности излучения в канале ~(1–2)·10⁵ Вт/см².