Когерентность излучения одночастотных инжекционных лазеров

Экспериментально исследована зависимость длины когерентности излучения инжекционных полупроводниковых лазеров на GaAs, работающих в одночастотном режиме, от мощности и интенсивности излучения. Показано, что при интенсивностях излучения ~0,5·10⁵ Вт/см² происходит значительное уширение линии генерации. По зависимости длины когерентности от мощности излучения в слабом поле, т. е. при интенсивностях I ≪ 10⁵ Вт/см², сделана оценка верхнего значения параметра насыщения. Результаты работы находятся в хорошем согласии с соответствующими теоретическими предсказаниями.