|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 6, страницы 1384–1386
(Mi qe10410)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Когерентность излучения одночастотных инжекционных лазеров
В. И. Анненков, Ю. М. Миронов, В. И. Молочев, А. С. Семенов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Экспериментально исследована зависимость длины когерентности излучения инжекционных полупроводниковых лазеров на GaAs, работающих в одночастотном режиме, от мощности и интенсивности излучения. Показано,
что при интенсивностях излучения ~0,5·105 Вт/см2 происходит значительное уширение линии генерации. По зависимости длины когерентности от мощности излучения в слабом поле, т. е. при интенсивностях I ≪ 105 Вт/см2, сделана оценка верхнего значения параметра насыщения. Результаты работы находятся в хорошем согласии с соответствующими теоретическими предсказаниями.
Поступила в редакцию: 25.11.1977
Образец цитирования:
В. И. Анненков, Ю. М. Миронов, В. И. Молочев, А. С. Семенов, “Когерентность излучения одночастотных инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1384–1386 [Sov J Quantum Electron, 8:6 (1978), 795–796]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10410 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i6/p1384
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 148 | PDF полного текста: | 73 |
|