Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 217–219 (Mi qe6649)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Моноимпульсная голография на инжекционных лазерах

Ю. А. Быковский, Н. Н. Евтихиев, В. А. Елхов, А. И. Ларкин, В. И. Молочев, В. В. Никитин
Аннотация: Проведено измерение временной когерентности импульсных инжекционных ПКГ голографическим методом. Получены голограммы объектов, записанные в моноимпульсном режиме.
Поступила в редакцию: 16.08.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 1, Pages 136
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n01ABEH006649
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.8:532.783
PACS: 42.40.Ht, 42.62.Cf, 42.55.Px


Образец цитирования: Ю. А. Быковский, Н. Н. Евтихиев, В. А. Елхов, А. И. Ларкин, В. И. Молочев, В. В. Никитин, “Моноимпульсная голография на инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 217–219 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 136]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6649
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p217
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:111
    PDF полного текста:63
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024