|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
А. Жукаускас, И. В. Крюкова, “Перегрев электронно-дырочной плазмы в активном элементе полупроводникового лазера с внешней накачкой”, Квантовая электроника, 17:7 (1990), 872–876 [A. Zhukauskas, I. V. Kryukova, “Overheating of an electron–hole plasma in an active element of an externally pumped semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 20:7 (1990), 792–796 ] |
1
|
|
1988 |
2. |
О. В. Богданкевич, В. Ю. Бурлаков, А. Д. Ефимов, М. М. Зверев, С. П. Копыт, И. В. Крюкова, В. Ф. Певцов, “Импульсно-периодический режим работы многоэлементного полупроводникового лазера с электронным возбуждением”, Квантовая электроника, 15:10 (1988), 2015–2018 [O. V. Bogdankevich, V. Yu. Burlakov, A. D. Efimov, M. M. Zverev, S. P. Kopyt, I. V. Kryukova, V. F. Pevtsov, “Pulse-periodic operation of a multicomponent semiconductor laser excited by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 18:10 (1988), 1263–1265 ] |
|
1987 |
3. |
А. В. Конященко, И. В. Крюкова, П. Г. Крюков, А. В. Шарков, “Пассивный затвор со смесью насыщающихся поглотителей для синхронизации мод твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 813–815 [A. V. Konyashchenko, I. V. Kryukova, P. G. Kryukov, A. V. Sharkov, “Passive switch with a mixture of saturable absorbers for mode locking in solid-state lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 511–512 ] |
2
|
4. |
О. В. Богданкевич, М. М. Зверев, С. П. Копыт, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Л. Г. Новожилова, В. Ф. Певцов, “Импульсно-периодический полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 14:3 (1987), 605–607 [O. V. Bogdankevich, M. M. Zverev, S. P. Kopyt, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, L. G. Novozhilova, V. F. Pevtsov, “Pulse-periodic semiconductor laser pumped by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 17:3 (1987), 373–375 ] |
5. |
О. В. Богданкевич, М. М. Зверев, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, В. Ф. Певцов, “Лазеры на красителях с накачкой излучением мощных полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 218–220 [O. V. Bogdankevich, M. M. Zverev, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, V. F. Pevtsov, “Dye lasers pumped by radiation from high-power semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 133–134 ] |
7
|
|
1986 |
6. |
А. А. Буров, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Г. В. Родиченко, “Исследование деградации отпаянных полупроводниковых лазеров с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2529–2531 [A. A. Burov, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, G. V. Rodichenko, “Investigation of the degradation of sealed electron-beam-pumped semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 16:12 (1986), 1672–1674 ] |
7. |
О. В. Богданкевич, М. М. Зверев, Т. Ю. Иванова, Н. Н. Костин, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, “Электронно-лучевая и оптическая стойкость полупроводников при импульсном возбуждении пучком электронов высокой интенсивности”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2132–2135 [O. V. Bogdankevich, M. M. Zverev, T. Yu. Ivanova, N. N. Kostin, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, “Electron-beam and optical strength of semiconductors subjected to pulsed excitation by a high-intensity electron beam”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1408–1410 ] |
1
|
|
1985 |
8. |
О. В. Богданкевич, С. А. Дарзнек, М. М. Зверев, Н. Н. Костин, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Марков, В. В. Смирнов, В. А. Ушахин, “Импульсный неохлаждаемый полупроводниковый лазер на окиси цинка”, Письма в ЖТФ, 11:3 (1985), 136–140 |
9. |
О. В. Богданкевич, Н. Д. Воробьев, М. М. Зверев, С. П. Копыт, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, В. Ф. Певцов, В. А. Ушахин, В. К. Якушин, “Импульсный многоэлементный полупроводниковый лазер с неустойчивым резонатором”, Квантовая электроника, 12:7 (1985), 1519–1521 [O. V. Bogdankevich, N. D. Vorob'ev, M. M. Zverev, S. P. Kopyt, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, V. F. Pevtsov, V. A. Ushakhin, V. K. Yakushin, “Pulsed multielement semiconductor laser with an unstable resonator”, Sov J Quantum Electron, 15:7 (1985), 1002–1003 ] |
4
|
10. |
О. В. Богданкевич, М. М. Зверев, Н. Н. Костин, С. П. Копыт, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, В. Ф. Певцов, В. А. Ушахин, В. К. Якушин, “Неохлаждаемые импульсные лазеры на сульфиде кадмия и арсениде галлия с продольной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 12:7 (1985), 1517–1519 [O. V. Bogdankevich, M. M. Zverev, N. N. Kostin, S. P. Kopyt, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, V. F. Pevtsov, V. A. Ushakhin, V. K. Yakushin, “Uncooled pulsed cadmium sulfide and gallium arsenide lasers pumped longitudinally by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 15:7 (1985), 1000–1002 ] |
6
|
|
1981 |
11. |
В. А. Коваленко, И. В. Крюкова, С. П. Прокофьева, “Спектрально-временные характеристики излучения кристаллов сульфида кадмия”, Квантовая электроника, 8:8 (1981), 1790–1796 [V. A. Kovalenko, I. V. Kryukova, S. P. Prokof'eva, “Spectral and time dependences of the radiation emitted by cadmium sulfide crystals”, Sov J Quantum Electron, 11:8 (1981), 1079–1083 ] |
3
|
|
1980 |
12. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, Б. М. Степанов, “Полупроводниковый лазер с перестраиваемой длиной волны излучения на основе четверных соединений $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$”, Квантовая электроника, 7:3 (1980), 644–646 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, E. A. Zagarinskii, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, B. M. Stepanov, “Tunable $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$ quaternary semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 10:3 (1980), 368–369 ] |
2
|
|
1979 |
13. |
И. В. Крюкова, С. П. Прокофьева, “Эффективная генерация электронно-дырочной плазмы в GaAs при электронном возбуждении”, Квантовая электроника, 6:11 (1979), 2425–2428 [I. V. Kryukova, S. P. Prokof'eva, “Efficient generation of an electron–hole plasma in electronbeam excited GaAs”, Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1427–1429] |
5
|
14. |
В. А. Коваленко, И. В. Крюкова, “Спектрально-временные характеристики излучения вырожденной электронно-дырочной плазмы в GaAs и CdS
при 300 K”, Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1507–1512 [V. A. Kovalenko, I. V. Kryukova, “Spectral and temporal characteristics of emission from degenerate electron–hole plasma in GaAs and CdS at 300°K”, Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 880–883] |
2
|
15. |
И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, “О механизмах генерации лазерного излучения в эпитаксиальном InAs при электронном возбуждении”, Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1401–1408 [I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, “Mechanisms of laser action in epitaxial InAs subjected to electron beam excitation”, Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 823–827] |
16. |
Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, “О деградации неохлаждаемых лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1109–1111 [E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, “Degradation of uncooled electron-pumped gallium arsenide lasers”, Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 656–657] |
|
1978 |
17. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, А. Н. Лапшин, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, М. Г. Мильвидский, “Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 126–128 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, A. N. Lapshin, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, M. G. Mil'vidskii, “Efficient room-temperature stimulated emission from a Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 66–67] |
2
|
|
1976 |
18. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, С. П. Прокофьева, В. П. Цыганов, Е. Г. Шевченко, “Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub> и Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2490–2494 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, S. P. Prokof'eva, V. P. Tsyganov, E. G. Shevchenko, “Spontaneous and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub>, and Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1367–1369] |
19. |
Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, “Исследование процессов деградации в лазерах на сульфиде кадмия при электронном возбуждении”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2475–2477 [E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, “Investigation of degradation of electron-beam-pumped cadmium sulfide lasers”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1354–1356] |
3
|
20. |
Ю. А. Акимов, Е. Б. Бендовский, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, Ю. В. Клевков, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Б. М. Степанов, В. А. Чапнин, “Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на In As и Pb<sub>x</sub>Sn<sub>1–x</sub>Se”, Квантовая электроника, 3:10 (1976), 2302–2303 [Yu. A. Akimov, E. B. Bendovskiǐ, A. A. Burov, E. A. Zagarinskiǐ, Yu. V. Klevkov, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, B. M. Stepanov, V. A. Chapnin, “Electron-beam-pumped InAs and Pb<sub>x</sub>Sn<sub>1–x</sub>Se semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 6:10 (1976), 1257–1258] |
21. |
И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, “Спектральные и мощностные характеристики лазеров с электронным возбуждением на антимониде галлия”, Квантовая электроника, 3:10 (1976), 2205–2214 [I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, “Spectral and power characteristics of electron-beam-excited gallium antimonide lasers”, Sov J Quantum Electron, 6:10 (1976), 1199–1204] |
22. |
В. И. Гурфинкель, И. В. Крюкова, В. В. Лебедев, В. И. Лескович, Г. Б. Лунькина, Е. В. Матвеенко, С. С. Стрельченко, Н. П. Хатырев, В. А. Чапнин, “Стимулированное излучение InAs при электронном возбуждении”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1601–1605 [V. I. Gurfinkel', I. V. Kryukova, V V Lebedev, V. I. Leskovich, G. B. Lun'kina, E. V. Matveenko, S. S. Strel'chenko, N. P. Khatyrev, V. A. Chapnin, “Electron-beam-excited stimulated emission from InAs”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 868–870] |
23. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Чапнин, “Люминесценция и лазерный эффект в Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] |
5
|
|
1975 |
24. |
М. К. Антошин, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, В. И. Слуев, Г. В. Спивак, “Саморазрушение лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 1969–1977 [M. K. Antoshin, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, V. I. Sluev, G. V. Spivak, “Self-damage in electron-beam-pumped gallium arsenide lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:9 (1975), 1069–1074] |
1
|
25. |
О. Н. Григорьев, И. В. Гриднева, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Ю. В. Мильман, С. И. Чугунова, “Влияние несовершенств кристаллического строения арсенида галлия на параметры лазеров с электронным возбуждением”, Квантовая электроника, 2:5 (1975), 1058–1062 [O. N. Grigor'ev, I. V. Gridneva, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, Yu. V. Mil'man, S. I. Chugunova, “Influence of imperfections in the crystal structure of gallium arsenide on the parameters of electron-beam excited lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:5 (1975), 577–579] |
26. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов, “Полупроводниковый квантовый генератор с электронной на качкой на основе Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb”, Квантовая электроника, 2:1 (1975), 68–72 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, E. A. Zagarinskii, I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, B. M. Stepanov, “Electron-beam-pumped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 5:1 (1975), 37–39] |
|
1974 |
27. |
Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, “Исследование фотолюминесценции и параметров лазерного излучения при электронном возбуждении
легированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As”, Квантовая электроника, 1:12 (1974), 2602–2607 [E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, “Investigation of the photoluminescence and parameters of laser radiation generated by electron excitation of Al$_x$Ga$_{1-x}$As solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:12 (1975), 1446–1449] |
28. |
И. В. Крюкова, О. В. Малышева, Ю. В. Петрушенко, В. А. Смирнов, О. Г. Столяров, Л. Н. Титюник, В. Э. Шнигер, “Влияние дефектов структуры кристаллов на излучательную рекомбинацию арсенида галлия”, Квантовая электроника, 1:3 (1974), 673–675 [I. V. Kryukova, O. V. Malysheva, Yu. V. Petrushenko, V. A. Smirnov, O. G. Stolyarov, L. N. Tityunik, V. È. Shniger, “Influence of structure defects on the radiative recombination in gallium arsenide crystals”, Sov J Quantum Electron, 4:3 (1974), 378–379] |
1
|
29. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов, “Параметры лазеров на Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As с электронной накачкой в видимой области спектра”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 178–180 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, B. M. Stepanov, “Parameters of electron-beam-pumped <nobr>Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As</nobr> lasers in the visible part of the spectrum”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 104–105] |
30. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, В. А. Коваленко, И. В. Крюкова, Т. Ф. Никитина, Ю. В. Петрушенко, Г. В. Родиченко, Б. М. Степанов, В. А. Яковлев, “КГС-3 – лазер с электронной накачкой на антимониде галлия”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 114–118 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, V. A. Kovalenko, I. V. Kryukova, T. F. Nikitina, Yu. V. Petrushenko, G. V. Rodichenko, B. M. Stepanov, V. A. Yakovlev, “KGS-3: An electron-beam-pumped gallium antimonide laser”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 62–64] |
|
1972 |
31. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, В. В. Календин, И. Б. Ковш, И. В. Крюкова, “Кинетика восстановления люминесцентных свойств монокристаллов арсенида галлия, облученных интенсивным пучком электронов”, Квантовая электроника, 1972, № 5(11), 108–111 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, V. V. Kalendin, I. B. Kovsh, I. V. Kryukova, “Kinetics of recovery of luminescence properties of gallium arsenide single crystals irradiated with high-energy electrons”, Sov J Quantum Electron, 2:5 (1973), 479–481] |
32. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, О. И. Говорков, Е. А. Загаринский, И. В. Крюкова, Б. М. Степанов, “Электроннолучевая трубка с полупроводниковой мишенью – сканирующий лазер с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 110–112 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, O. I. Govorkov, E. A. Zagarinskii, I. V. Kryukova, B. M. Stepanov, “Electron-beam tube with a semiconductor target. An electron-beam-pumped scanning laser”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 297–299] |
33. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, Ю. А. Дрожбин, В. А. Коваленко, С. Е. Козлов, И. В. Крюкова, Г. В. Родиченко, Б. М. Степанов, В. А. Яковлев, “КГП-2 – лазер с электронной накачкой на сульфиде кадмия”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 99–101 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, Yu. A. Drozhbin, V. A. Kovalenko, S. E. Kozlov, I. V. Kryukova, G. V. Rodichenko, B. M. Stepanov, V. A. Yakovlev, “KGP-2: An electron-beam-pumped cadmium sulfide laser”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 284–285] |
1
|
|
1971 |
34. |
О. В. Богданкевич, В. В. Календин, И. В. Крюкова, И. Б. Ковш, “Характеристики квантового генератора на арсениде галлия с накачкой пучком электронов высокой энергии”, Квантовая электроника, 1971, № 3, 29–33 [O. V. Bogdankevich, V. V. Kalendin, I. V. Kryukova, I. B. Kovsh, “Characteristics of a gallium arsenide laser pumped by a high-energy electron beam”, Sov J Quantum Electron, 1:3 (1971), 224–227] |
|