Электронно-лучевая и оптическая стойкость полупроводников при импульсном возбуждении пучком электронов высокой интенсивности

Показано, что воздействие интенсивного импульсного электронного пучка на полупроводниковые кристаллы вызывает хрупкое разрушение образцов, инициируемое исходными дефектами полировки и малоугловыми границами. Порог разрушения возрастает в ряду соединений CdS, ZnSe, ZnO, GaAs. С уменьшением диаметра облучаемой области наблюдается рост порога электронно-лучевого разрушения. В отличие от электронно-лучевого воздействия собственное излучение полупроводникового лазера высокой интенсивности приводит к возникновению в кристаллах проплавов, вызванных резким поглощением света в области исходных микродефектов.