|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 9, страницы 1969–1977
(Mi qe11900)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Саморазрушение лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой
М. К. Антошин, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, В. И. Слуев, Г. В. Спивак Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Аннотация:
Исследовались процессы катастрофической деградации лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой, работающих при температурах 80 и 300 K. Значение критической плотности световой мощности полупроводникового резонатора, приводящее к его разрушению, в зависимости от температуры, оптической однородности и совершенства обработки поверхности кристалла менялось от 2 до 15 мВт/см2. Обсуждаются механизмы разрушения кристаллов арсенида галлия под действием собственного лазерного излучения.
Поступила в редакцию: 19.02.1975
Образец цитирования:
М. К. Антошин, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, В. И. Слуев, Г. В. Спивак, “Саморазрушение лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 1969–1977 [Sov J Quantum Electron, 5:9 (1975), 1069–1074]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11900 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i9/p1969
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 118 | PDF полного текста: | 73 |
|