Спектрально-временные характеристики излучения вырожденной электронно-дырочной плазмы в GaAs и CdS при 300 K

При 300 K с временным разрешением ~10^–11 с исследованы спектрально-временные характеристики спонтанного и индуцированного излучения вырожденной электронно-дырочной плазмы в GaAs и CdS при возбуждении электронным пучком с энергией 150 кэВ и током в импульсе до 650 А. Изучена кинетика развития спектров излучения в зависимости от уровня возбуждения и определены критические концентрации носителей, при которых в результате экранирования кулоновского взаимодействия связанные состояния разрушаются, а спектры претерпевают деформацию: узкие линии, соответствующие рекомбинации носителей через связанные состояния, исчезают и возникает излучение электронно-дырочной плазмы. Времена рекомбинации носителей в плазме составляют (0,3 ± 0,1)·10^–9 с в GaAs и (1,4 ± 0,3)·10^–9 с в CdS. Положение в шкале энергий и смещение спектров излучения плазмы с увеличением уровня возбуждения соответствуют теоретическим представлениям.