|
Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 7, страницы 1507–1512
(Mi qe9202)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Спектрально-временные характеристики излучения вырожденной электронно-дырочной плазмы в GaAs и CdS
при 300 K
В. А. Коваленко, И. В. Крюкова Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
При 300 K с временным разрешением ~10–11 с исследованы спектрально-временные характеристики спонтанного и индуцированного излучения вырожденной электронно-дырочной плазмы в GaAs и CdS при возбуждении электронным пучком с энергией 150 кэВ и током в импульсе до 650 А. Изучена кинетика развития спектров излучения в зависимости от уровня возбуждения и определены критические концентрации
носителей, при которых в результате экранирования кулоновского взаимодействия связанные состояния разрушаются, а спектры претерпевают деформацию: узкие линии, соответствующие рекомбинации носителей через связанные состояния, исчезают и возникает излучение электронно-дырочной плазмы. Времена рекомбинации носителей в плазме составляют (0,3 ± 0,1)·10–9 с в GaAs и (1,4 ± 0,3)·10–9 с в CdS. Положение в шкале энергий и смещение спектров излучения плазмы с увеличением уровня возбуждения соответствуют теоретическим представлениям.
Поступила в редакцию: 17.12.1978 Исправленный вариант: 22.02.1979
Образец цитирования:
В. А. Коваленко, И. В. Крюкова, “Спектрально-временные характеристики излучения вырожденной электронно-дырочной плазмы в GaAs и CdS
при 300 K”, Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1507–1512 [Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 880–883]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9202 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i7/p1507
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 113 | PDF полного текста: | 63 |
|