Полупроводниковый лазер с перестраиваемой длиной волны излучения на основе четверных соединений $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$

Обсуждаются задачи и пути создания полупроводниковых лазеров с электронной накачкой, позволяющих осуществлять перестройку длины волны излучения. На основе исследования зависимостей пороговой плотности тока и спектров лазерного излучения от температуры рассмотрен вопрос о природе лазерных переходов в полупроводниковых активных элементах, изготовленных из соединения $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$, выращенного методом жидкофазовой эпитаксии. Сообщается о создании отпаянного полупроводникового лазера типа КГС-9 на основе указанного твердого раствора, работающего в диапазоне температур от азотной до комнатной, что позволяет осуществлять перестройку длины волны. Параметры лазера: общее ускоряющее напряжение на приборе до 60 кВ; мощность импульсного лазерного излучения 20-60 Вт, длительность импульсов излучения 10-300 нс, частота повторения 50-500 Гц, длина волны излучения 1,96-2,04 мкм.