|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Н. Л. Гревцов, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, И. М. Гаврилин, А. А. Дронов, С. А. Гаврилов, “Влияние окисления пористого кремния на формирование нанокомпозитов пористый кремний/индий электрохимическим методом”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 49–51 ; N. L. Grevtsov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko, I. M. Gavrilin, A. A. Dronov, S. A. Gavrilov, “The effect of porous silicon oxidation on electrochemical formation of porous silicon–indium nanocomposites”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 341–343 |
1
|
|
2020 |
2. |
Г. О. Силаков, О. В. Воловликова, С. А. Гаврилов, А. В. Железнякова, А. А. Дудин, “Влияние температуры формирования на морфологию $por$-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 743–747 ; G. O. Silakov, O. V. Volovlikova, S. A. Gavrilov, A. V. Zheleznyakova, A. A. Dudin, “Influence of the formation temperature of the morphology of por-Si formed by Pd-assisted chemical etching”, Semiconductors, 54:8 (2020), 890–894 |
2
|
|
2017 |
3. |
И. М. Гаврилин, Д. Г. Громов, А. А. Дронов, С. В. Дубков, Р. Л. Волков, А. Ю. Трифонов, Н. И. Боргардт, С. А. Гаврилов, “Влияние температуры электролита на процесс катодного осаждения нитевидных наноструктур Ge из водных растворов на частицах In и Sn”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1110–1115 ; I. M. Gavrilin, D. G. Gromov, A. A. Dronov, S. V. Dubkov, R. L. Volkov, A. Yu. Trifonov, N. I. Borgardt, S. A. Gavrilov, “Effect of electrolyte temperature on the cathodic deposition of Ge nanowires on in and Sn particles in aqueous solutions”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1067–1071 |
18
|
4. |
О. В. Пятилова, С. А. Гаврилов, Ю. И. Шиляева, А. А. Павлов, Ю. П. Шаман, А. А. Дудин, “Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 182–186 ; O. V. Pyatilova, S. A. Gavrilov, Yu. I. Shilyaeva, A. A. Pavlov, Yu. P. Shaman, A. A. Dudin, “Influence of the doping type and level on the morphology of porous Si formed by galvanic etching”, Semiconductors, 51:2 (2017), 173–177 |
4
|
|
2016 |
5. |
И. О. Троянчук, Л. С. Лобановский, С. В. Дубков, Ю. И. Шиляева, М. В. Силибин, С. А. Гаврилов, “Магнитные свойства кобальтитов, легированных ионами хрома, галлия и железа”, Физика твердого тела, 58:2 (2016), 285–287 ; I. O. Troyanchuk, L. S. Lobanovskii, S. V. Dubkov, Yu. I. Shilyaeva, M. V. Silibin, S. A. Gavrilov, “Magnetic properties of cobaltites doped with chromium, gallium, and iron ions”, Phys. Solid State, 58:2 (2016), 293–295 |
4
|
6. |
С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова, С. А. Гаврилов, “Фотоприемники на основе CuInS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 106–111 ; S. V. Bulyarskii, L. N. Vostretsova, S. A. Gavrilov, “Photodetectors based on CuInS$_2$”, Semiconductors, 50:1 (2016), 106–111 |
7
|
|
2003 |
7. |
Л. А. Головань, В. А. Мельников, С. О. Коноров, А. Б. Федотов, С. А. Гаврилов, А. М. Желтиков, П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко, Г. И. Петров, Л. Ли, В. В. Яковлев, “Эффективная генерация второй гармоники при рассеянии в пористом фосфиде галлия”, Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003), 229–233 ; L. A. Golovan, V. A. Melnikov, S. O. Konorov, A. B. Fedotov, S. A. Gavrilov, A. M. Zheltikov, P. K. Kashkarov, V. Yu. Timoshenko, G. I. Petrov, L. Li, V. V. Yakovlev, “Efficient second-harmonic generation by scattering from porous gallium phosphide”, JETP Letters, 78:4 (2003), 193–197 |
18
|
|
2001 |
8. |
Р. В. Волков, С. А. Гаврилов, Д. М. Голишников, В. М. Гордиенко, П. М. Михеев, А. Б. Савельев, А. А. Серов, “Генерация горячих частиц в фемтосекундной лазерной плазме с использованием твердотельных модифицированных мишеней”, Квантовая электроника, 31:3 (2001), 241–246 [R. V. Volkov, S. A. Gavrilov, D. M. Golishnikov, V. M. Gordienko, P. M. Mikheev, A. B. Savel'ev, A. A. Serov, “Generation of hot particles in a femtosecond laser-produced plasma with the use of solid modified targets”, Quantum Electron., 31:3 (2001), 241–246 ] |
11
|
|
2000 |
9. |
А. Варанавичюс, Т. В. Власов, Р. В. Волков, С. А. Гаврилов, В. М. Гордиенко, А. Дубетис, Э. Жеромскис, А. Пискарскас, А. Б. Савельев-Трофимов, Г. Тамошаускас, “Зависимость выхода жесткого рентгеновского излучения из плотной плазмы от длины волны греющего сверхкороткого лазерного импульса”, Квантовая электроника, 30:6 (2000), 523–528 [A. Varanavicius, T. V. Vlasov, R. V. Volkov, S. A. Gavrilov, V. M. Gordienko, A. Dubetis, E. Zeromskis, A. Piskarskas, A. B. Savel'ev-Trofimov, G. Tamosauskas, “Hard x-ray radiation yield from a dense plasma as a function of the wavelength of the heating ultrashort laser pulse”, Quantum Electron., 30:6 (2000), 523–528 ] |
12
|
|