|
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние температуры электролита на процесс катодного осаждения нитевидных наноструктур Ge из водных растворов на частицах In и Sn
И. М. Гаврилинa, Д. Г. Громовa, А. А. Дроновa, С. В. Дубковa, Р. Л. Волковa, А. Ю. Трифоновba, Н. И. Боргардтa, С. А. Гавриловa a Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
b Государственный научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф. В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Аннотация:
Представлены результаты исследования роста нитевидных структур Ge из водных растворов электролитов при различных температурах с использованием массивов наночастиц In и Sn в качестве центров кристаллизации. Температура процесса катодного осаждения Ge из водных растворов оказывает существенное влияние на строение слоя, осаждаемого на поверхность. При наличии частиц металлов в расплавленном состоянии происходит рост нитевидных структур Ge за счет катодного восстановления ионов, содержащих Ge, на поверхности электрода с последующим растворением и кристаллизацией в расплаве на границе с подложкой. Полученные результаты показывают решающую роль наличия жидких частиц металла в процессе электрохимического формирования нитевидных нанокристаллов германия.
Поступила в редакцию: 12.12.2016 Принята в печать: 01.02.2017
Образец цитирования:
И. М. Гаврилин, Д. Г. Громов, А. А. Дронов, С. В. Дубков, Р. Л. Волков, А. Ю. Трифонов, Н. И. Боргардт, С. А. Гаврилов, “Влияние температуры электролита на процесс катодного осаждения нитевидных наноструктур Ge из водных растворов на частицах In и Sn”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1110–1115; Semiconductors, 51:8 (2017), 1067–1071
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6079 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1110
|
|