Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1110–1115
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44799.8482
(Mi phts6079)
 

Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние температуры электролита на процесс катодного осаждения нитевидных наноструктур Ge из водных растворов на частицах In и Sn

И. М. Гаврилинa, Д. Г. Громовa, А. А. Дроновa, С. В. Дубковa, Р. Л. Волковa, А. Ю. Трифоновba, Н. И. Боргардтa, С. А. Гавриловa

a Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
b Государственный научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф. В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Аннотация: Представлены результаты исследования роста нитевидных структур Ge из водных растворов электролитов при различных температурах с использованием массивов наночастиц In и Sn в качестве центров кристаллизации. Температура процесса катодного осаждения Ge из водных растворов оказывает существенное влияние на строение слоя, осаждаемого на поверхность. При наличии частиц металлов в расплавленном состоянии происходит рост нитевидных структур Ge за счет катодного восстановления ионов, содержащих Ge, на поверхности электрода с последующим растворением и кристаллизацией в расплаве на границе с подложкой. Полученные результаты показывают решающую роль наличия жидких частиц металла в процессе электрохимического формирования нитевидных нанокристаллов германия.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 01.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1067–1071
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. М. Гаврилин, Д. Г. Громов, А. А. Дронов, С. В. Дубков, Р. Л. Волков, А. Ю. Трифонов, Н. И. Боргардт, С. А. Гаврилов, “Влияние температуры электролита на процесс катодного осаждения нитевидных наноструктур Ge из водных растворов на частицах In и Sn”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1110–1115; Semiconductors, 51:8 (2017), 1067–1071
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GavGroDro17}
\by И.~М.~Гаврилин, Д.~Г.~Громов, А.~А.~Дронов, С.~В.~Дубков, Р.~Л.~Волков, А.~Ю.~Трифонов, Н.~И.~Боргардт, С.~А.~Гаврилов
\paper Влияние температуры электролита на процесс катодного осаждения нитевидных наноструктур Ge из водных растворов на частицах In и Sn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1110--1115
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6079}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44799.8482}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938292}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1067--1071
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6079
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1110
  • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024