|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 106–111
(Mi phts6570)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Фотоприемники на основе CuInS$_{2}$
С. В. Булярскийa, Л. Н. Вострецоваa, С. А. Гавриловb a Ульяновский государственный университет
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
Аннотация:
Показано, что процессы переноса носителей заряда, определяющих темновые вольт-амперные характеристики фотоприемников на основе CuInS$_{2}$ и, следовательно, эффективность преобразования излучения, являются туннельно-рекомбинационными. Эти процессы происходят через электронные состояния внутри запрещенной зоны, имеющие энергию активации 0.2 эВ и концентрацию $\sim$8 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$.
Поступила в редакцию: 23.03.2015 Принята в печать: 30.03.2015
Образец цитирования:
С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова, С. А. Гаврилов, “Фотоприемники на основе CuInS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 106–111; Semiconductors, 50:1 (2016), 106–111
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6570 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p106
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 25 | PDF полного текста: | 8 |
|