Фотоприемники на основе CuInS$_{2}$

Показано, что процессы переноса носителей заряда, определяющих темновые вольт-амперные характеристики фотоприемников на основе CuInS$_{2}$ и, следовательно, эффективность преобразования излучения, являются туннельно-рекомбинационными. Эти процессы происходят через электронные состояния внутри запрещенной зоны, имеющие энергию активации 0.2 эВ и концентрацию $\sim$8 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$.