Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 182–186
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44101.8327
(Mi phts6229)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением

О. В. Пятиловаa, С. А. Гавриловa, Ю. И. Шиляеваa, А. А. Павловb, Ю. П. Шаманc, А. А. Дудинb

a Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
c НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Москва, Зеленоград, Россия
Аннотация: Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C$_{2}$H$_{5}$OH/H$_{2}$O$_{2}$ монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование $por$-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик $por$-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины.
Поступила в редакцию: 17.05.2016
Принята в печать: 09.07.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 173–177
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020178
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Пятилова, С. А. Гаврилов, Ю. И. Шиляева, А. А. Павлов, Ю. П. Шаман, А. А. Дудин, “Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 182–186; Semiconductors, 51:2 (2017), 173–177
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PyaGavShi17}
\by О.~В.~Пятилова, С.~А.~Гаврилов, Ю.~И.~Шиляева, А.~А.~Павлов, Ю.~П.~Шаман, А.~А.~Дудин
\paper Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 182--186
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6229}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44101.8327}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29005991}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 173--177
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020178}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6229
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p182
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024