|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением
О. В. Пятиловаa, С. А. Гавриловa, Ю. И. Шиляеваa, А. А. Павловb, Ю. П. Шаманc, А. А. Дудинb a Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
c НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Москва, Зеленоград, Россия
Аннотация:
Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C$_{2}$H$_{5}$OH/H$_{2}$O$_{2}$ монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование $por$-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик $por$-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины.
Поступила в редакцию: 17.05.2016 Принята в печать: 09.07.2016
Образец цитирования:
О. В. Пятилова, С. А. Гаврилов, Ю. И. Шиляева, А. А. Павлов, Ю. П. Шаман, А. А. Дудин, “Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 182–186; Semiconductors, 51:2 (2017), 173–177
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6229 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p182
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 12 |
|