Влияние температуры формирования на морфологию $por$-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления

Изучен процесс Pd-стимулированного травления кремния в растворе, содержащем HF и H$_{2}$O$_{2}$. Показано влияние на морфологию получаемых слоев таких факторов, как длительность травления и температура раствора. Показано, что в процессе Pd-стимулированного травления наночастицы Pd остаются на стенках и дне пор. Такая структура, как было показано в ранних работах, обладает свойством электроокисления спиртов, что дает основания утверждать: формируемые структуры являются структурами типа структур Шоттки. С помощью диаграммы электрохимического равновесия в системе Si-HF(aq.) определена модель Pd-стимулированного травления. Показано, что происходит полирующее растворение Si без образования промежуточных продуктов (SiO$_{2}$).