|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, Д. А. Фролов, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, Л. Д. Паранчич, “Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1413–1418 ; A. I. Veinger, I. V. Kochman, D. A. Frolov, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, L. D. Paranchich, “Microwave magnetic absorption in HgSe with Co and Ni impurities”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1375–1380 |
1
|
2. |
А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, Т. А. Говоркова, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Особенности электронного парамагнитного резонанса примеси железа в кристаллах HgSe”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 317–322 ; A. I. Veinger, I. V. Kochman, V. I. Okulov, T. A. Govorkova, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Specific features of the electron spin resonance of an iron impurity in HgSe crystals”, Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297 |
1
|
|
2018 |
3. |
А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1573–1577 ; A. I. Veinger, I. V. Kochman, V. I. Okulov, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Conduction-electron spin resonance in HgSe crystals”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1672–1676 |
1
|
4. |
А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Осцилляции микроволнового магнитопоглощения в кристаллах HgSe с примесью Fe”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 847–852 ; A. I. Veinger, I. V. Kochman, V. I. Okulov, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Microwave magnetoabsorption oscillations in Fe-doped HgSe crystals”, Semiconductors, 52:8 (2018), 980–985 |
2
|
|
2012 |
5. |
А. Т. Лончаков, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Экспериментальное обнаружение и теоретическое описание аномального эффекта Холла в спонтанно поляризованной системе электронов гибридизированных примесных состояний”, Письма в ЖЭТФ, 96:6 (2012), 444–448 ; A. T. Lonchakov, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Experimental discovery and theoretical description of the anomalous hall effect in a spontaneously polarized electron system of hybridized impurity states”, JETP Letters, 96:6 (2012), 405–409 |
15
|
|
1992 |
6. |
В. Д. Прозоровский, И. Ю. Решидова, С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич, “Исследование зонных параметров Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te”, Физика твердого тела, 34:3 (1992), 700–707 |
|
1990 |
7. |
В. Д. Прозоровский, И. Ю. Решидова, С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич, “Микроволновые исследования квантовых осцилляций и спектра ЭПР в Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se”, Физика твердого тела, 32:11 (1990), 3290–3294 |
8. |
С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич, В. Н. Макогоненко, С. В. Лотоцкая, “Энергетическая щель и эффективная масса в твердых
растворах Fe$_{x}$Hg$_{1-x}$Se”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 225–230 |
|
1989 |
9. |
В. Д. Прозоровский, И. Ю. Решидова, С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич, “Исследование Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te с помощью ЭПР”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 326–329 |
|
1986 |
10. |
Н. Г. Глузман, Л. Д. Сабирзянова, И. М. Цидильковский, Л. Д. Паранчич, С. Ю. Паранчич, “Эффект Шубникова–де-Гааза в твердых растворах Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 1994–1998 |
11. |
С. Ю. Паранчич, В. Н. Макогоненко, И. И. Тарасюк, Л. Д. Паранчич, “Решеточная теплопроводность твердых растворов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Se”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 123–128 |
12. |
Н. Г. Глузман, Л. Д. Сабирзянова, И. М. Цидильковский, Л. Д. Паранчич, С. Ю. Паранчич, “Особенности биений амплитуд шубниковских осцилляций в кристаллах
Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 94–98 |
|
1984 |
13. |
Н. П. Гавалешко, В. В. Хомяк, В. М. Фрасуняк, Л. Д. Паранчич, С. Ю. Паранчич, “Зонные параметры твердых растворов Mg$_{x}$Hg$_{1-x}$Te,
Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se и Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Se,
определенные по минимуму плазменного отражения”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1542–1546 |
|