|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Mikhail A. Lobaev, Anatoly L. Vikharev, Aleksey M. Gorbachev, Dmitry B. Radishev, Ekaterina A. Arkhipova, Mikhail N. Drozdov, Vladimir A. Isaev, Sergey A. Bogdanov, Vladimir A. Kukushkin, “Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates”, Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022), 578–584   |
|
2021 |
| 2. |
А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, Н. М. Овечкин, О. А. Иванов, Д. Б. Радищев, А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, С. А. Краев, С. А. Королев, “Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 49–58 ; A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, N. M. Ovechkin, O. A. Ivanov, D. B. Radishev, A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, A. Ya. Vul', A. T. Dideikin, S. A. Kraev, S. A. Korolev, “Study of undoped nanocrystalline diamond films grown by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition”, Semiconductors, 55:1 (2021), 66–75 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, С. В. Большедворский, А. И. Зеленеев, В. В. Сошенко, А. В. Акимов, М. Н. Дроздов, В. А. Исаев, “Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 19–23 ; A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, S. V. Bolshedvorskii, A. I. Zeleneev, V. V. Soshenko, A. V. Akimov, M. N. Drozdov, V. A. Isaev, “Formation of multilayered nanostructures of NV sites in single-crystal CVD diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 641–645 |
1
|
| 4. |
М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 34–38 ; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1923–1932 ; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 |
4
|
| 6. |
Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1386–1390 ; E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 |
1
|
| 7. |
С. А. Богданов, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, М. А. Лобаев, С. А. Гусев, Д. А. Татарский, С. В. Большедворский, А. В. Акимов, В. В. Чернов, “Создание локализованных ансамблей NV-центров в CVD-алмазе с помощью облучения электронным пучком”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 36–39 ; S. A. Bogdanov, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, M. A. Lobaev, S. A. Gusev, D. A. Tatarskii, S. V. Bolshedvorskii, A. V. Akimov, V. V. Chernov, “Creation of localized NV center ensembles in CVD diamond by electron beam irradiation”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 281–284 |
4
|
| 8. |
С. А. Богданов, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, М. А. Лобаев, “Контракция микроволнового разряда в реакторе для газофазного осаждения алмаза”, Письма в ЖТФ, 45:3 (2019), 30–33 ; S. A. Bogdanov, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, M. A. Lobaev, “Contraction of microwave discharge in the reactor for chemical vapor deposition of diamond”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 89–92 |
10
|
|
2017 |
| 9. |
E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Viharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, J. E. Batler, “Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron””, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1151 ; Semiconductors, 51:8 (2017), 1106 |
|
2016 |
| 10. |
Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598 ; E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, D. E. Batler, “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573 |
2
|
|
2000 |
| 11. |
А. В. Гуревич, А. Г. Литвак, А. Л. Вихарев, О. А. Иванов, Н. Д. Борисов, К. Ф. Сергейчев, “Искусственная ионизованная область как источник озона в стратосфере”, УФН, 170:11 (2000), 1181–1202 ; A. V. Gurevich, A. G. Litvak, A. L. Vikharev, O. A. Ivanov, N. D. Borisov, K. F. Sergeichev, “Artificially ionized region as a source of ozone in the stratosphere”, Phys. Usp., 43:11 (2000), 1103–1123  |
23
|
|
1997 |
| 12. |
Р. А. Ахмеджанов, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, О. А. Иванов, А. Л. Колыско, “Исследование процессов разрушения фреона-113 в наносекундном коронном разряде”, ТВТ, 35:4 (1997), 524–537 ; R. A. Akhmedzhanov, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, O. A. Ivanov, A. L. Kolysko, “Investigation of the processes of destruction of freon-113 in a nanosecond corona discharge”, High Temperature, 35:4 (1997), 514–527 |
|
1994 |
| 13. |
А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, О. А. Иванов, Л. С. Иванова, А. Л. Колыско, “Индуцированное УФ излучение наносекундного СВЧ разряда в азоте, возбуждаемого в поле цилиндрической ТЕ-волны”, Квантовая электроника, 21:7 (1994), 647–650 [A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, O. A. Ivanov, L. S. Ivanova, A. L. Kolysko, “Stimulated ultraviolet radiation from a nanosecond microwave discharge excited in the field of a cylindrical TE wave”, Quantum Electron., 24:7 (1994), 595–598 ] |
|
1989 |
| 14. |
А. Л. Вихарев, О. А. Иванов, Л. С. Иванова, О. Ю. Кузнецов, А. Н. Степанов, “Прилипательная неустойчивость свободно локализованного
СВЧ разряда
в открытом резонаторе”, ЖТФ, 59:1 (1989), 40–49 |
| 15. |
А. А. Бабин, А. Л. Вихарев, В. А. Гинцбург, О. А. Иванов, Н. Г. Колганов, М. И. Фукс, “Азотный лазер, возбуждаемый свободно локализованным СВЧ-разрядом”, Письма в ЖТФ, 15:5 (1989), 31–33 |
|
1987 |
| 16. |
А. Л. Вихарев, О. А. Иванов, О. Ю. Кузнецов, А. Н. Степанов, “Кинетические неустойчивости свободно локализованного СВЧ-разряда в молекулярных газах”, Докл. АН СССР, 295:2 (1987), 358–362 |
| 17. |
А. Л. Вихарев, М. С. Гитлин, О. А. Иванов, И. Н. Полушкин, А. Н. Степанов, А. И. Щербаков, “Нагрев азота в импульсном СВЧ разряде в условиях интенсивного возбуждения электронных уровней молекул”, Письма в ЖТФ, 13:4 (1987), 223–226 |
|
1984 |
| 18. |
А. Л. Вихарев, О. А. Иванов, А. Н. Степанов, “Применение коротких ионизующих СВЧ импульсов для изучения распада
плазмы”, ЖТФ, 54:8 (1984), 1617–1619 |
|
Обратная связь: