|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, И. П. Просвирин, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса”, Письма в ЖЭТФ, 115:2 (2022), 89–93  ; T. V. Perevalov, R. M. Kh. Iskhakzai, I. P. Prosvirin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, “Forming-free memristors based on hafnium oxide processed in electron cyclotron resonance hydrogen plasma”, JETP Letters, 115:2 (2022), 79–83   |
3
|
|
2021 |
| 2. |
V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, I. P. Posvirin, Xiaoping Shi, M. R. Baklanov, “Atomic structure and optical properties of plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH Low-k dielectric film”, Оптика и спектроскопия, 129:5 (2021), 618 ; Optics and Spectroscopy, 129:6 (2021), 645–651 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535  ; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 |
2
|
| 4. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, “Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 112–117 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin, “Structure of Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$ ferroelectric films obtained by the atomic layer deposition”, JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120 |
5
|
|
2018 |
| 5. |
В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, В. А. Володин, В. Н. Кручинин, А. К. Герасимова, И. П. Просвирин, “Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrO$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018), 230–235 ; V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, V. A. Volodin, V. N. Kruchinin, A. K. Gerasimova, I. P. Prosvirin, “Atomic and electronic structures of metal-rich noncentrosymmetric ZrO$_x$”, JETP Letters, 108:4 (2018), 226–230 |
2
|
| 6. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, И. П. Просвирин, “Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 62–67 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, D. R. Islamov, I. P. Prosvirin, “Electronic structure of oxygen vacancies in the orthorhombic noncentrosymmetric phase Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, JETP Letters, 107:1 (2018), 55–60 |
10
|
|
2017 |
| 7. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 395–402 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 |
5
|
|
2014 |
| 8. |
В. П. Анаников, Л. Л. Хемчян, Ю. В. Иванова, В. И. Бухтияров, А. М. Сорокин, И. П. Просвирин, С. З. Вацадзе, А. В. Медведько, В. Н. Нуриев, А. Д. Дильман, В. В. Левин, И. В. Коптюг, К. В. Ковтунов, В. В. Живонитко, В. А. Лихолобов, А. В. Романенко, П. А. Симонов, В. Г. Ненайденко, О. И. Шматова, В. М. Музалевский, М. С. Нечаев, А. Ф. Асаченко, О. С. Морозов, П. Б. Джеваков, С. Н. Осипов, Д. В. Воробьева, М. А. Топчий, М. А. Зотова, С. А. Пономаренко, О. В. Борщев, Ю. Н. Лупоносов, А. А. Ремпель, А. А. Валеева, А. Ю. Стахеев, О. В. Турова, И. С. Машковский, С. В. Сысолятин, В. В. Малыхин, Г. А. Бухтиярова, А. О. Терентьев, И. Б. Крылов, “Развитие методологии современного селективного органического синтеза: получение функционализированных молекул с атомарной точностью”, Усп. хим., 83:10 (2014), 885–985 ; V. P. Ananikov, L. L. Khemchyan, Yu. V. Ivanova, V. I. Bukhtiyarov, A. M. Sorokin, I. P. Prosvirin, S. Z. Vatsadze, A. V. Medved'ko, V. N. Nuriev, A. D. Dilman, V. V. Levin, I. V. Koptyug, K. V. Kovtunov, V. V. Zhivonitko, V. A. Likholobov, A. V. Romanenko, P. A. Simonov, V. G. Nenajdenko, O. I. Shmatova, V. M. Muzalevskiy, M. S. Nechaev, A. F. Asachenko, O. S. Morozov, P. B. Dzhevakov, S. N. Osipov, D. V. Vorobyeva, M. A. Topchiy, M. A. Zotova, S. A. Ponomarenko, O. V. Borshchev, Yu. N. Luponosov, A. A. Rempel, A. A. Valeeva, A. Yu. Stakheev, O. V. Turova, I. S. Mashkovsky, S. V. Sysolyatin, V. V. Malykhin, G. A. Bukhtiyarova, A. O. Terent'ev, I. B. Krylov, “Development of new methods in modern selective organic synthesis: preparation of functionalized molecules with atomic precision”, Russian Chem. Reviews, 83:10 (2014), 885–985 |
214
|
|
2011 |
| 9. |
О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503 ; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468 |
25
|
|
Обратная связь: