Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Гурович Борис Аронович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:695
Страницы публикаций:1167
Полные тексты:506
Списки литературы:75
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person45236
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Л. В. Кутузов, Б. В. Гончаров, Д. А. Комаров, Е. М. Малиева, “Создание элементов из NbN для логических устройств классических криокомпьютеров”, Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1241–1244  mathnet  elib; B. A. Gurovich, K. E. Prikhod'ko, L. V. Kutuzov, B. V. Goncharov, D. A. Komarov, E. M. Malieva, “Creating elements from NbN for logic devices of classic cryo-computers”, Phys. Solid State, 63:9 (2021), 1369–1372
2. Б. А. Гурович, Б. В. Гончаров, К. Е. Приходько, Л. В. Кутузов, Л. В. Столяров, Е. М. Малиева, “Создание тонких пленок NbN при комнатной температуре подложки”, Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1238–1240  mathnet  elib; B. A. Gurovich, B. V. Goncharov, K. E. Prikhod'ko, L. V. Kutuzov, L. V. Stolyarov, E. M. Malieva, “Creation of thin films of NbN at room temperature of the substrate”, Phys. Solid State, 63:9 (2021), 1366–1368 2
2020
3. Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Л. В. Кутузов, Б. В. Гончаров, “Управление сверхпроводящими переходами нанопроводов с использованием затворов без гальванической связи для создания электронных устройств на основе сверхпроводников”, Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1420–1427  mathnet  elib; B. A. Gurovich, K. E. Prikhod'ko, L. V. Kutuzov, B. V. Goncharov, “Control of superconducting transitions in nanowires using galvanically uncoupled gates for designing superconductor-based electronic devices”, Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1585–1591 2
4. Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Б. В. Гончаров, М. М. Дементьева, Л. В. Кутузов, Д. А. Комаров, А. Г. Домантовский, В. Л. Столяров, Е. Д. Ольшанский, “Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия”, ЖТФ, 90:11 (2020),  1860–1863  mathnet  elib; B. A. Gurovich, K. E. Prikhod'ko, B. V. Goncharov, M. M. Dementyeva, L. V. Kutuzov, D. A. Komarov, A. G. Domantovskii, V. L. Stolyarov, E. D. Ol'shanskii, “The influence of integrated resistors formed under ion irradiation on the superconducting transitions of niobium nitride nanoconductors”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1777–1779 1
2016
5. М. М. Дементьева, К. Е. Приходько, Б. А. Гурович, Л. В. Кутузов, Д. А. Комаров, “Изучение эволюции атомного состава тонких пленок NbN в процессе облучения смешанными ионными пучками методами спектроскопии энергетических потерь электронов”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2104–2108  mathnet  elib; M. M. Dementyeva, K. E. Prikhod'ko, B. A. Gurovich, L. V. Kutuzov, D. A. Komarov, “Study of the evolution of the atomic composition of thin NbN films under irradiation with mixed ion beams by methods of electron energy loss spectroscopy”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2177–2181 4
2009
6. Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, “Физические механизмы, лежащие в основе процесса селективного удаления атомов”, УФН, 179:2 (2009),  179–195  mathnet; B. A. Gurovich, K. E. Prikhod'ko, “Physical mechanisms underlying the process of selective removal of atoms”, Phys. Usp., 52:2 (2009), 165–178  isi  scopus 24
2001
7. Б. А. Гурович, Д. И. Долгий, Е. А. Кулешова, Е. П. Велихов, Е. Д. Ольшанский, А. Г. Домантовский, Б. А. Аронзон, Е. З. Мейлихов, “Управляемая трансформация электрических, магнитных и оптических свойств материалов ионными пучками”, УФН, 171:1 (2001),  105–117  mathnet; B. A. Gurovich, D. I. Dolgii, E. A. Kuleshova, E. P. Velikhov, E. D. Ol'shanskii, A. G. Domantovskii, B. A. Aronzon, E. Z. Meilikhov, “Controlled ion-beam transformation of electrical, magnetic, and optical materials properties”, Phys. Usp., 44:1 (2001), 95–105  isi 32

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024