Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXIV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-13 марта 2020 г. Сверхпроводимость
Управление сверхпроводящими переходами нанопроводов с использованием затворов без гальванической связи для создания электронных устройств на основе сверхпроводников
Аннотация:
Показана возможность переключения нанопровода из NbN из сверхпроводящего состояния в нормальное бесконтактным способом за счет пропускания тока через затвор, который расположен на определенном расстоянии от нанопровода. Затвор отделен от нанопровода слоем Al2O3, содержит интегрированное сопротивление, созданное под действием ионного облучения. Экспериментально получены зависимости минимальной мощности, выделяемой на затворе, достаточной для перевода нанопровода в нормальное состояние, в зависимости от величины постоянного тока через нанопровод. На основе данного принципа создан инвертор сигнала, содержащий три последовательных каскада, что показывает потенциальную возможность применения метода для формирования элементной логической базы криогенного компьютера.
Образец цитирования:
Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Л. В. Кутузов, Б. В. Гончаров, “Управление сверхпроводящими переходами нанопроводов с использованием затворов без гальванической связи для создания электронных устройств на основе сверхпроводников”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1420–1427; Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1585–1591
\RBibitem{GurPriKut20}
\by Б.~А.~Гурович, К.~Е.~Приходько, Л.~В.~Кутузов, Б.~В.~Гончаров
\paper Управление сверхпроводящими переходами нанопроводов с использованием затворов без гальванической связи для создания электронных устройств на основе сверхпроводников
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 9
\pages 1420--1427
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8312}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2020.09.49764.23H}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154224}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 9
\pages 1585--1591
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420090103}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8312
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i9/p1420
Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
K. E. Prikhodko, M. M. Dement'eva, “Creation of Functional Nanostructures under Ion Irradiation”, Tech. Phys., 69:4 (2024), 1010
Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Л. В. Кутузов, Б. В. Гончаров, Д. А. Комаров, Е. М. Малиева, “Создание элементов из NbN для логических устройств классических криокомпьютеров”, Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1241–1244; B. A. Gurovich, K. E. Prikhod'ko, L. V. Kutuzov, B. V. Goncharov, D. A. Komarov, E. M. Malieva, “Creating elements from NbN for logic devices of classic cryo-computers”, Phys. Solid State, 63:9 (2021), 1369–1372