Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 11, страницы 1860–1863
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.11.49975.106-20 (Mi jtf5153) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10--13 марта 2020 г.
Физика низкоразмерных структур

Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия

Б. А. Гуровичa, К. Е. Приходькоab, Б. В. Гончаровa, М. М. Дементьеваa, Л. В. Кутузовa, Д. А. Комаровa, А. Г. Домантовскийa, В. Л. Столяровa, Е. Д. Ольшанскийa

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
PDF полного текста (746 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.11.49975.106-20
Аннотация: Исследовано влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием облучения в нанопроводе, на его сверхпроводящие переходы. Рассмотрены нанопровода из нитрида ниобия шириной 75–20000 nm, изготовленные из пленки NbN толщиной 5 nm на подложках из монокристаллического кремния, покрытого слоем термического оксида кремния толщиной 0.3 $\mu$m и на подложках из сапфира. Описано влияние встроенной резистивной области на величину критического тока перехода из сверхпроводящего состояния в нормальное.
Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, критические токи перехода сверхпроводящих нанопроводов, криоэлектронные устройства, интегрированные криогенные резисторы, ионное облучение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Национальный исследовательский центр Курчатовский институт 1359
Работа выполнена при поддержке Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт” (приказ от 25.06.2019 № 1359).
Поступила в редакцию: 01.04.2020
Исправленный вариант: 01.04.2020
Принята в печать: 01.04.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 11, Pages 1777–1779
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220110146
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Б. В. Гончаров, М. М. Дементьева, Л. В. Кутузов, Д. А. Комаров, А. Г. Домантовский, В. Л. Столяров, Е. Д. Ольшанский, “Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1860–1863; Tech. Phys., 65:11 (2020), 1777–1779
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GurPriGon20}
\by Б.~А.~Гурович, К.~Е.~Приходько, Б.~В.~Гончаров, М.~М.~Дементьева, Л.~В.~Кутузов, Д.~А.~Комаров, А.~Г.~Домантовский, В.~Л.~Столяров, Е.~Д.~Ольшанский
\paper Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 11
\pages 1860--1863
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5153}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.11.49975.106-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44588714}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 11
\pages 1777--1779
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220110146}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5153
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i11/p1860
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024