|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518   ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
|
2018 |
| 2. |
К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, Т. Б. Чарикова, А. М. Луговых, Т. Е. Говоркова, В. И. Окулов, “Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2325–2330 ; K. D. Moiseev, Yu. A. Kudriavtsev, T. B. Charikova, A. M. Lugovykh, T. E. Govorkova, V. I. Okulov, “Effects of magnetic ordering in conductivity and magnetization of gaas-based semiconductor heterostructures upon changing the concentration of the delta-layer of manganese admixture”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2402–2407 |
|
2017 |
| 3. |
К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Yu. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, M. Lopez-Lopez, “Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1189–1195 ; K. D. Moiseev, V. N. Nevedomskiy, Yu. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, M. Lopez-Lopez, “On the delta-type doping of GaAs-based heterostructures with manganese compounds”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1141–1147 |
5
|
| 4. |
В. М. Король, А. В. Заставной, Y. Kudriavtsev, R. Asomoza, “Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 579–584 ; V. M. Korol', A. V. Zastavnoi, Y. Kudriavtsev, R. Asomoza, “Negative annealing in silicon after the implantation of high-energy sodium ions”, Semiconductors, 51:5 (2017), 549–555 |
| 5. |
Ю. А. Кудрявцев, R. Asomoza-Palacio, L. Manzanilla-Naim, “Взаимодействие паров воды с поверхностями силикатных стекол: масс-спектрометрическое исследование”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 75–82 ; Yu. A. Kudriavtsev, R. Asomoza-Palacio, L. Manzanilla-Naim, “Interaction of water vapor with silicate glass surfaces: Mass-spectrometric investigations”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 447–449 |
14
|
|
2016 |
| 6. |
К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2203–2207 ; K. D. Moiseev, V. V. Romanov, Yu. A. Kudriavtsev, “Features of an InAsSbP epilayer formation on an InAs support by metalorganic vapor phase epitaxy”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2285–2289 |
5
|
| 7. |
А. М. Луговых, Т. Б. Чарикова, В. И. Окулов, К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2160–2163 ; A. M. Lugovykh, T. B. Charikova, V. I. Okulov, K. D. Moiseev, Yu. A. Kudriavtsev, “Charge transfer features and ferromagnetic order in semiconductor heterostructures $\delta$-doped with manganese”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2240–2243 |
1
|
|
Обратная связь: