|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 15–18   ; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 |
6
|
|
2020 |
| 2. |
А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 3–6 ; A. V. Sakharov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, S. O. Usov, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of reactor pressure on the properties of GaN layers grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1211–1214 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2333 ; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337 |
|
2018 |
| 4. |
В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, В. П. Евтихиев, “Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1237–1243 ; V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, “Selective epitaxial growth of III–N structures using ion-beam nanolithography”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1357–1362 |
5
|
|
2017 |
| 5. |
В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104 ; V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 |
2
|
|
2016 |
| 6. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1401–1407 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 |
3
|
| 7. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, М. А. Яговкина, В. М. Устинов, Н. А. Черкашин, “Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1263–1269 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, “Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1241–1247 |
1
|
|
Обратная связь: