|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, Д. А. Малевский, “К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 915–921 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, D. A. Malevskii, “High-efficiency photovoltaic modules with solar concentrators”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 857–863 |
2
|
2. |
А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Измерение тепловых характеристик фотоэлектрических концентраторных модулей”, ЖТФ, 91:2 (2021), 291–298 ; A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Measurement of the thermal characteristics of concentrator photovoltaic modules”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 280–287 |
2
|
3. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1218–1222 |
4. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева, “Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1086–1090 |
5. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Ф. Ю. Солдатенков, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 699–703 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
2
|
6. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 614–617 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
2
|
7. |
Д. А. Малевский, А. В. Малевская, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 52–54 ; D. A. Malevskii, A. V. Malevskaya, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Dynamics of air humidity in a concentrator photovoltaic module with a drying device”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 208–210 |
8. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 14–17 ; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Plasmachemical and wet etching in the postgrowth technology of solar cells based on the GaInP/GaInAs/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 114–117 |
3
|
|
2020 |
9. |
А. В. Малевская, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 35–37 ; A. V. Malevskaya, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Investigation of passivating and protecting methods for multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 976–978 |
1
|
10. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 24–26 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, “High-efficiency photoelectric units with sunlight concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 646–648 |
11. |
Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, А. В. Малевская, В. М. Андреев, “Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 11–13 ; D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. R. Larionov, A. V. Malevskaya, V. M. Andreev, “Control system of Sun-tracking accuracy for concentration photovoltaic installations”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 523–525 |
2
|
12. |
Н. Ю. Давидюк, А. В. Андреева, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, В. М. Андреев, “Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:9 (2020), 29–31 ; N. Yu. Daviduk, A. V. Andreeva, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, V. M. Andreev, “Electroinsulated heat sinks for concentrated photovoltaic solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 436–438 |
1
|
13. |
Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 38–40 ; N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Increasing the efficiency of concentrator photovoltaic units with focons as secondary optical concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 239–241 |
|
2019 |
14. |
А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. З. Шварц, “Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 26–28 ; A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, D. A. Malevskii, V. R. Larionov, M. Z. Shvarts, “High-efficiency conversion of high-power-density laser radiation”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 24–26 |
14
|
|
2018 |
15. |
А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215 ; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 |
5
|
16. |
А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, А. Н. Паньчак, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 390–394 ; A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, A. N. Panchak, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Influence of heat dissipation conditions on the characteristics of concentrator photoelectric modules”, Semiconductors, 52:3 (2018), 371–375 |
3
|
17. |
В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, А. В. Андреева, “Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 105–110 ; V. M. Andreev, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, “Thermal characteristics of high-efficiency photovoltaic converters of high-power laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 999–1001 |
|
2016 |
18. |
В. М. Андреев, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, А. В. Чекалин, “Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1374–1379 ; V. M. Andreev, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. D. Rumancev, A. V. Chekalin, “On the main photoelectric characteristics of three-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in a broad temperature range (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1356–1361 |
|